发光二极管芯片制造技术

一种发光二极管芯片，其包括半导体元件层、第一电极、电流阻挡层、电流分散层及第二电极。半导体元件层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层及位于第一型与第二型掺杂半导体层之间的发光层。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。电流阻挡层配置于第二型掺杂半导体层上，且电流阻挡层包括主体及从主体延伸的延伸部。电流分散层覆盖电流阻挡层。第二电极通过电流分散层与第二型掺杂半导体层电性连接，其中第二电极包括焊垫及从焊垫延伸的指部，焊垫位于主体上方，而指部位于延伸部上方，且指部的部分区域未与延伸部重叠。该发光二极管芯片具有电流阻挡层以有效控制电流聚集的位置，进而有效提升发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光元件，且特别是有关于一种发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)芯片。
技术介绍
随着半导体科技的进步，现今的发光二极管已具备了高亮度与高演色性等特性，加上发光二极管具有省电、体积小、低电压驱动以及不含汞等优点，发光二极管已广泛地应用在显示器与照明等领域。一般而言，发光二极管芯片的发光效率与发光二极管芯片的内部量子效率(即光取出率)相关。当发光层所发出的光线有更多比率可以穿透出发光二极管芯片时，代表着发光二极管芯片的内部量子效率较佳。发光二极管芯片的电极通常是由金属材质所制造，由于金属材质的不透光性，发光二极管芯片上被电极覆盖的区域所发出的光线无法有效的被利用。如此一来，会造成电能的浪费。因此，现有已发展出一种在电极与半导体元件层之间制作电流阻挡层的技术，然而，通过电流阻挡层来提升发光二极管芯片的发光效率仍然存在许多改善的空间。因此，如何进一步提升发光二极管芯片的发光效率，实为目前研发人员研发的重点之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管芯片，其具有电流阻挡层以有效控制电流聚集的位置，进而有效提升发光效率。本专利技术提出一种发光二极管芯片，其包括一半导体元件层、一第一电极、一电流阻挡层、一电流分散层以及一第二电极。半导体元件层包括一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层，其中发光层位于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第一电极与第一型掺杂半导体
层电性连接。电流阻挡层配置于第二型掺杂半导体层上，且电流阻挡层包括一主体以及一从主体延伸的延伸部。电流分散层配置于第二型掺杂半导体层上以覆盖电流阻挡层。第二电极与第二型掺杂半导体层电性连接，其中第二电极包括一焊垫以及一从焊垫延伸的指部，而指部位于延伸部上方，且指部的部分区域未与延伸部重叠。本专利技术提出另一种发光二极管芯片，其包括一半导体元件层、一第一电极、一电流阻挡层、一电流分散层以及一第二电极。半导体元件层包括一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层，其中发光层位于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。电流阻挡层配置于第二型掺杂半导体层上。电流阻挡层包括一主体以及一从主体延伸的延伸部。电流分散层配置于第二型掺杂半导体层上以覆盖电流阻挡层。第二电极通过电流分散层与第二型掺杂半导体层电性连接，其中第二电极包括一焊垫以及一从焊垫延伸的指部，焊垫位于主体上方，而指部位于延伸部上方，焊垫贯穿电流分散层与主体，且焊垫与第二型掺杂半导体层接触。本专利技术提出又一种发光二极管芯片，其包括一半导体元件层、电流分散层、第一电极、绝缘层以及第二电极。半导体元件层包括一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层。发光层位于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。电流分散层配置于第二型掺杂半导体层上。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。绝缘层配置于第一电极与第一型掺杂半导体层之间。第二电极通过电流分散层与第二型掺杂半导体层电性连接。本专利技术提出又一种发光二极管芯片，其包括半导体元件层、第一电极、第二电极、电流阻挡层以及电流分散层。半导体元件层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。发光层位于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。第二电极与第二型掺杂半导体层电性连接。第二电极包括焊垫以及从焊垫延伸的指部。电流阻挡层配置于第二型掺杂半导体层上，且设置于指部正投影范围之内。电流分散层配置于第二型掺杂半导体层上以覆盖电流阻挡层。焊垫贯穿电流分散层与电流阻挡层，且焊垫与第二型掺杂半导体层电性相接触。基于上述，由于本专利技术于发光二极管芯片中采用特殊图案设计的电流阻挡层，因此本专利技术的发光二极管芯片具有良好的发光效率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A至图1C是依据本专利技术的发光二极管芯片的剖面示意图；图2A至图2E是依据本专利技术第一实施例的不同发光二极管芯片的上视示意图；图3A至图3C是依据本专利技术第二实施例的不同发光二极管芯片的上视示意图；图4A至图4B是依据本专利技术第三实施例的不同发光二极管芯片的剖面示意图；图5A至图5D是图4A实施例的发光二极管芯片制作方法流程示意图；图6A至图6B是依据本专利技术第四实施例的不同发光二极管芯片的上视示意图；图7A是依据本专利技术第五实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图7B是图7A的发光二极管芯片沿着线段A-A’的剖面示意图；图7C至图7F、图7G至图7J以及图7K至图7M是依据本专利技术第六实施例的不同发光二极管芯片制作方法流程示意图；图8A是依据本专利技术第七实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图8B是图8A的发光二极管芯片沿着线段B-B’的剖面示意图；图9A是依据本专利技术第八实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图9B是图9A的发光二极管芯片沿着线段C-C’的剖面示意图；图10A是依据本专利技术第九实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图10B是图10A的发光二极管芯片沿着线段D-D’的剖面示意图；图10C至图10F是图10A实施例的发光二极管芯片制作方法流程示意图；图11A是依据本专利技术第十实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图11B是图11A的发光二极管芯片沿着线段E-E’的剖面示意图；图12A是依据本专利技术第十一实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图12B是图12A的发光二极管芯片沿着线段F-F’的剖面示意图；图13A是依据本专利技术第十二实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图13B是图13A的发光二极管芯片沿着线段G-G’的剖面示意图；图14A是依据本专利技术第十三实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图14B是图14A的发光二极管芯片沿着线段H-H’的剖面示意图；图15A是依据本专利技术第十四实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图15B是图15A的发光二极管芯片沿着线段I-I’的剖面示意图；图16A是依据本专利技术第十五实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图16B是图16A的发光二极管芯片沿着线段J-J’的剖面示意图；图17A是依据本专利技术第十六实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图17B是图17A的发光二极管芯片沿着线段K-K’的剖面示意图；图18A是依据本专利技术第十七实施例的发光二极管芯片的上视示意图；图18B是图18A的发光二极管芯片沿着线段L-L’的剖面示意图。附图标记说明：100a、100b、100c、200、300a、300b、300c、300d、400a、400b、400c、400d、400e、400f、400g、400h、400i、400j、400k、400l、400m、400n：发光二极管芯片；110：半导体元件层；112：第一型掺杂半导体层；114：发光层；116：第二型掺杂半导体层；120、420、420a、420b、420c、420d：第一电极；130、230、430、430’：电流阻挡层；132、232：主体；134、234：延伸部；134a、234a：电流阻挡图案；134b、234b：连接图案；140、140a、140b、440、440a、440a1、440a2、440b、440b1、440b2、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：一半导体元件层，包括一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层，其中所述发光层位于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间；一第一电极，与所述第一型掺杂半导体层电性连接；一电流阻挡层，配置于所述第二型掺杂半导体层上，所述电流阻挡层包括一主体以及一从所述主体延伸的延伸部；一电流分散层，配置于所述第二型掺杂半导体层上以覆盖所述电流阻挡层；以及一第二电极，通过所述电流分散层与所述第二型掺杂半导体层电性连接，其中所述第二电极包括一焊垫以及一从所述焊垫延伸的指部，所述焊垫位于所述主体上方，而所述指部位于所述延伸部上方，且所述指部的部分区域未与所述延伸部重叠。

【技术特征摘要】
2015.02.17 US 62/116923;2015.04.22 US 62/151377;201.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：一半导体元件层，包括一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层，其中所述发光层位于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间；一第一电极，与所述第一型掺杂半导体层电性连接；一电流阻挡层，配置于所述第二型掺杂半导体层上，所述电流阻挡层包括一主体以及一从所述主体延伸的延伸部；一电流分散层，配置于所述第二型掺杂半导体层上以覆盖所述电流阻挡层；以及一第二电极，通过所述电流分散层与所述第二型掺杂半导体层电性连接，其中所述第二电极包括一焊垫以及一从所述焊垫延伸的指部，所述焊垫位于所述主体上方，而所述指部位于所述延伸部上方，且所述指部的部分区域未与所述延伸部重叠。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光层配置于所述第一型掺杂半导体层上以暴露出部分所述第一型掺杂半导体层，且所述第一电极配置于所述发光层所暴露出的部分所述第一型掺杂半导体层上。3.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：一半导体元件层，包括一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层，其中所述发光层位于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间；一第一电极，与所述第一型掺杂半导体层电性连接；一电流阻挡层，配置于所述第二型掺杂半导体层上，所述电流阻挡层包括一主体以及一从所述主体延伸的延伸部；一电流分散层，配置于所述第二型掺杂半导体层上以覆盖所述电流阻挡层；以及一第二电极，与所述第二型掺杂半导体层电性连接，其中所述第二电极包括一焊垫以及一从所述焊垫延伸的指部，而所述指部位于所述延伸部上方，所述焊垫贯穿所述电流分散层与所述主体，且所述焊垫与所述第二型掺杂半
\t导体层接触。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光层配置于所述第一型掺杂半导体层上以暴露出部分所述第一型掺杂半导体层，且所述第一电极配置于所述发光层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭祐祯，赖腾宪，康凯舜，兰彦廷，黄靖恩，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71