【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年2月17日提交的美国临时申请No.62/117,176的权益,所述美国临时申请全文以引用方式并入本文。
本专利技术涉及电路,尤其涉及电源适配器。
技术介绍
与常规电源适配器相比,采用快速充电技术诸如Qualcomm Quick Charge2.0TM技术的电源适配器对移动设备(例如,智能电话和平板电脑)充电的速度要快最多75%。快速充电电源适配器通常能够在5V下对传统移动设备充电,并能够在9V和12V下对新移动设备快速充电。作为一个具体例子,快速充电旅行电源适配器能根据所连接的移动设备的充电要求自适应地改变其输出电压。因此旅行电源适配器能用于对传统移动设备和具备快速充电功能的移动设备两者进行充电。
技术实现思路
在一个实施例中,电源适配器包括变压器次级侧上的协议集成电路(IC)以及变压器初级侧上的控制器IC。电源适配器的输出电压会根据所连接的电子设备(例如,移动设备)的充电电压要求而变化,所述电子设备(例如,移动设备)经连接以从电源适配器接收功率。电源适配器包括自适应过电压保护模式,所述自适应过电压保护模式在启动期间将过电压保护阈值设定为低电平,并随后在检测到协议IC的正常操作之后将过电压保护阈值设定为较高电平。本专利技术一方面提供一种控制器集成电路,包括:开关控制器,所述开关控制器被配置为控制变压器的初级侧上的开关的切换操作,其中所述开关的所述切换操作在所述变压器的次级侧上感生输出电压;反馈电路,所述反馈电路被配置为从协议集成电路接收反馈信号,所述协议集成电路被配置为根据充电协议利用所述输出电压为电子设备充电;以及比较器 ...
【技术保护点】
一种控制器集成电路,其特征在于,包括:开关控制器,所述开关控制器被配置为控制变压器的初级侧上的开关的切换操作,其中所述开关的所述切换操作在所述变压器的次级侧上感生输出电压;反馈电路,所述反馈电路被配置为从协议集成电路接收反馈信号,所述协议集成电路被配置为根据充电协议利用所述输出电压为电子设备充电;以及比较器电路,所述比较器电路被配置为将所感测的输出电压与过电压保护阈值进行比较以检测所述输出电压的过电压状态,其中所述控制器集成电路在所述控制器集成电路的启动期间将所述过电压保护阈值设定为比第二电平更小的第一电平,并且在检测到所述变压器的所述次级侧上所述协议集成电路的正常操作之后,将所述过电压保护阈值设定为所述第二电平。
【技术特征摘要】
2015.02.17 US 62/117,176;2016.01.29 US 15/010,3701.一种控制器集成电路,其特征在于,包括:开关控制器,所述开关控制器被配置为控制变压器的初级侧上的开关的切换操作,其中所述开关的所述切换操作在所述变压器的次级侧上感生输出电压;反馈电路,所述反馈电路被配置为从协议集成电路接收反馈信号,所述协议集成电路被配置为根据充电协议利用所述输出电压为电子设备充电;以及比较器电路,所述比较器电路被配置为将所感测的输出电压与过电压保护阈值进行比较以检测所述输出电压的过电压状态,其中所述控制器集成电路在所述控制器集成电路的启动期间将所述过电压保护阈值设定为比第二电平更小的第一电平,并且在检测到所述变压器的所述次级侧上所述协议集成电路的正常操作之后,将所述过电压保护阈值设定为所述第二电平。2.根据权利要求1所述的控制器集成电路,其特征在于,在检测到所述过电压状态后,所述开关控制器停止所述开关的所述切换操作。3.根据权利要求1所述的控制器集成电路,其特征在于,还包括:过电压保护阈值发生器,所述过电压保护阈值发生器被配置为生成所述过电压保护阈值。4.根据权利要求3所述的控制器集成电路,其特征在于,所述过电压保护阈值发生器包括多路复用器,所述多路复用器选择具有所述第一电平的第一过电压保护阈值电压或具有所述第二电平的第二过电压保护阈值电压。5.根据权利要求3所述的控制器集成电路,其特征在于,所述控制器集成电路还包括自适应模式选择块,所述自适应模式选择块用于启用所述过电压保护阈值发生器以改变所述过电压保护阈值。6.根据权利要求3所述的控制器集成电路,其特征在于,所述自适应模式选择块还包括:电流源,所述电流源被配置为对所述控制器集成电路外部的模式电容器充电;以及模式比较器,在所述控制器集成电路启动期间当所述模式电容器上的模式电压小于内部电压时,所述模式比较器启用所述过电压保护阈值发生器以改变所述过电压保护阈值。7.根据权利要求1所述的控制器集成电路,其特征在于,所述开关控制器被配置为通过脉冲宽度调制控制所述开关的所述切换操作。8.根据权利要求4所述的控制器集成电路,其特征在于,所述第一过电压保护阈值是用于所述电子设备在5V下充电时保护所述电子设备的,而所述第二过电压保护阈值是用于所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员:拉纳·戴比亚度,谢志贤,徐乾尊,崔恒硕,
申请(专利权)人:快捷半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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