发光器件封装制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件封装，所述发光器件封装包括：封装本体；所述封装本体上的电路图案；所述电路图案上的发光芯片；连接构件，使所述发光芯片连接到所述电路图案上；所述发光芯片上的荧光粉层；以及第一保护层，设置在所述封装本体上以掩埋所述电路图案、所述发光芯片和所述连接构件，并且包括Ⅲ族氮化物。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的发光单元。
技术介绍
发光器件，例如，发光二极管(LED)是将电能转换成光并且广泛地用作代替常规的荧光灯和辉光灯的下一代光源的半导体器件。由于LED通过使用半导体器件产生光，所以LED与通过加热钨丝来产生光的辉光灯或通过激励高压放电产生的紫外线与荧光物质碰撞来产生光的荧光灯相比可以表现出低功耗。此外，LED通过使用半导体器件的能带隙来产生光，使得LED就使用寿命、响应特性和环保要求而言比常规光源有利。就这一点而言，已经进行了各种研究来用LED取代常规光源。LED越来越多的用作照明设备的光源，例如，在室内和室外使用的各种灯具、液晶显示器、电子布告板和路灯。
技术实现思路
实施例提供了一种具有新结构的发光器件封装。实施例提供了一种发光器件封装，所述发光器件封装通过形成由具有高反射率和散热性能的材料形成的保护层能够提高光提取效率(light extractionefficiency)并且增加散热效果。实施例提供了一种发光器件封装，所述发光器件封装能够在独创性地降低荧光粉层的高度的同时提高引线的可靠性。同时，实施例实现的目的可以不限于上述目的，并且本领域技术人员可以从以下描述清楚地理解其他目的。根据实施例，提供了一种发光器件封装，所述发光器件封装包括：封装本体；所述封装本体上的电路图案；所述电路图案上的发光芯片；连接构件，
使所述发光芯片连接到所述电路图案；所述发光芯片上的荧光粉层；以及第一保护层，设置在所述封装本体上以掩埋所述电路图案、所述发光芯片和所述连接构件，并且包括Ⅲ族氮化物。所述Ⅲ族氮化物包括氮化硼和氮化铝中的至少一种。所述第一保护层包括硅树脂和Ⅲ族氮化物氮化硼并且具有白色。所述第一保护层包括硅树脂与Ⅲ族氮化物氮化硼的复合物并且具有白色。所述第一保护层的硅树脂中添加有至少30重量％的氮化硼。所述第一保护层具有至少98％的反射率。所述第一保护层的顶面在相同平面上与所述荧光粉层的顶面对齐。所述发光器件封装进一步包括所述第一保护层上的第二保护层。所述连接构件包括从所述荧光粉层向上突出的第一部分以及除所述第一部分之外的第二部分，其中所述连接构件的第一部分被掩埋在所述第一保护层中，并且所述连接构件的第二部分被掩埋在所述第二保护层中。所述荧光粉层具有小于160μm的高度。所述第二保护层的侧面以预定的倾角相对于所述第二保护层的主表面倾斜。所述第二保护层的底面不与所述荧光粉层的顶面接触。所述第二保护层包括硅树脂以及添加到硅树脂中的以下添加剂中的至少一种：TiO2、BaSo4、BN和Al2O3。同时，根据实施例，提供了一种发光器件封装，所述发光器件封装包括：封装本体；所述封装本体上的电路图案；所述电路图案上的发光芯片；连接构件，使所述发光芯片连接到所述电路图案；所述发光芯片上的荧光粉层；第一保护层，设置在所述封装本体上以掩埋所述电路图案和所述发光芯片；所述第一保护层上的第二保护层，其中所述连接构件包括从所述荧光粉层向上突出的第一部分以及除所述第一部分之外的第二部分，其中所述连接构件的第一部分被掩埋在所述第一保护层中，并且所述连接构件的第二部分被掩埋在所述第二保护层中。所述第一保护层包括添加到硅树脂中的至少30重量％的氮化硼。所述第一保护层的顶面在相同平面上与所述荧光粉层的顶面对齐。所述第二保护层的侧面以预定的倾角相对于所述第二保护层的主表面倾
斜，并且所述第二保护层的底面不与所述荧光粉层的顶面接触。根据实施例，保护层由硅树脂、Ⅲ族氮化物BN和AlN中的至少一种的复合物形成，使得可以改善光提取效率、散热性能和放电电阻。此外，根据实施例，掩埋引线的附加结构形成在保护层上，使得在独创性地降低荧光粉层的高度时可以提高引线的可靠性。以下附图和说明书阐述了一个或多个实施例的细节。从说明书和附图以及权利要求书中可以清楚地理解其他特征。附图说明图1是示出了根据第一实施例的发光器件封装的剖视图；图2至图6是依次图示了根据第一实施例的发光器件封装的制造方法的剖视图；图7是示出了根据BN的含量的透射率的视图；图8是示出了根据实施例的保护层的光通量的测量结果的视图；图9至图11是示出了图1中描绘的发光器件封装的修改实例的剖视图；图12是示出了根据第二实施例的发光器件封装的剖视图；图13示出了用于发光芯片的一般引线接合的工艺方案；图14是根据第二实施例的连接构件的放大视图；图15是示出了根据实施例的发光芯片的详细构造的视图；图16示出了根据实施例的具有发光器件封装的前大灯。具体实施方式以下将参照附图详细描述实施例，使得本领域的技术人员能够容易实现这些实施例。然而，实施例可以不限于以下所述实施例，而是具有各种修改。在以下描述中，当预定部分“包括”预定元件时，所述预定部分并不排除其他元件，而是可以进一步包括其他元件，除非另外指明。为了方便或清晰的目的，可以放大、省略或示意性地图示附图中示出了的每个层的厚度和大小。此外，元件的大小并不一定反映实际大小。在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件。在实施例的描述中，应当理解，当层、膜、区域或板子称为在另一个层、
另一个膜、另一个区域、或另一个板子“上”时，它可以“直接地”或“间接地”在另一个层、另一个膜、另一个区域或另一个板上，或者还可以存在一个或多个中间层。相比之下，当零件被称为“直接”在另一个零件上时，不存在中间层。图1是示出了根据第一实施例的发光器件封装的剖视图。发光器件封装100包括封装本体101、第一至第四电路图案102至105、第一通路106和第二通路107、发光芯片108、稳压二极管109、荧光粉层110、第一连接构件111和第二连接构件112以及保护层113。封装本体101可以包括陶瓷绝缘层，但是实施例不限于此。例如，构成封装本体101的陶瓷绝缘层可以包括氮化物或氧化物。例如，封装本体101可以包括SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3或AIN，但是实施例不限于此。封装本体101可以是由树脂类印刷电路板(PCB)、例如硅和碳化硅的硅类材料、例如氮化铝(AlN)的陶瓷类材料、例如聚邻苯二甲酰胺(PPA)和液晶聚合物的树脂类材料以及金属芯PCB(MCPCB)，但是实施例不限于此。封装本体101可以包括具有出色的热导率的材料并且可以是多个陶瓷片材在高度方向上多层层叠的基板。第一电路图案102和第二电路图案103在彼此间隔开预定间隔的同时分别形成在封装本体101的顶面上。此外，第三电路图案104和第四电路图案105在彼此间隔开预定间隔的同时分别形成在封装本体101的底面上。第一通路106穿过封装本体101的顶面和底面，使得第一通路106的顶端连接到第一电路图案102的底面上，并且第一通路106的底端连接到第三电路图案104的顶面上。第二通路107穿过封装本体101的顶面和底面，使得第二通路107的顶端连接到第二电路图案103的底面上，并且第二通路107的底端连接到第四电路图案105的顶面上。第一至第四电路板102至105可以以印刷电路板的常规制造方法形成，例如，加成法、减成法、改进的半加成法(MASP)或半加成法(SAP)，并且在实施例中将省略详细描述。在通过激光方法穿透封装本体1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：封装本体；所述封装本体上的电路图案；所述电路图案上的发光芯片；连接构件，使所述发光芯片连接到所述电路图案；所述发光芯片上的荧光粉层；以及第一保护层，设置在所述封装本体上以掩埋所述电路图案、所述发光芯片和所述连接构件，并且所述第一保护层包括Ⅲ族氮化物。

【技术特征摘要】
2015.02.12 KR 10-2015-00215521.一种发光器件封装，包括：封装本体；所述封装本体上的电路图案；所述电路图案上的发光芯片；连接构件，使所述发光芯片连接到所述电路图案；所述发光芯片上的荧光粉层；以及第一保护层，设置在所述封装本体上以掩埋所述电路图案、所述发光芯片和所述连接构件，并且所述第一保护层包括Ⅲ族氮化物。2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述Ⅲ族氮化物包括氮化硼和氮化铝中的至少一种。3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一保护层包括硅树脂与Ⅲ族氮化物氮化硼的复合物并且具有白色。4.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中，至少30重量％的氮化硼添加到所述第一保护层的硅树脂中。5.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中，所述第一保护层具有至少98％的反射率。6.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一保护层的顶面在相同平面上与所述荧光粉层的顶面对齐。7.根据权利要求1所述的发光器件封装，进一步包括所述第一保护层上的第二保护层。8.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中，所述连接构件包括从所述荧光粉层向上突出的第一部分以及除所述第一部分之外的第二部分，其中所述连接构件的第一部分被掩埋在所述第一保护层中，并且所述连接构件的第二部分被掩埋在所述第二保护层中。9.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，所述荧光粉层具有小于160μm的高度。10.根据权利要求8所述的发光器件封装，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金元振，朴镇庆，李仁宰，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR