本发明专利技术涉及纳米复合涂层及其制备技术，具体地说是一种Zr‑B‑N纳米复合涂层的制备工艺，采用高功率脉冲和脉冲直流复合磁控溅射技术在金属或合金基体上沉积Zr‑B‑N纳米复合涂层。为提高涂层中Zr元素含量，靶材同时选用金属Zr和化合物ZrB2（纯度均为wt.99.9%，直径均为80 mm），镀膜前先通入Ar气，利用高功率脉冲磁控溅射Zr靶对基体表面进行轰击清洗，然后沉积金属Zr过渡层，最后再通入反应气体N2，将Zr和ZrB2靶同时起辉，开始沉积Zr‑B‑N涂层。本发明专利技术涉及的Zr‑B‑N纳米复合涂层制备工艺简单，重复性好，并且容易工业化生产；制备出的Zr‑B‑N涂层具有较高的韧性和强度，良好的耐磨性能，且组织结构致密、涂层与基体间的结合力强。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及涂层制备技术，具体地说是一种Zr-B-N纳米复合涂层的制备工艺。
技术介绍
近年来, 在机械、锻造和成型器件上使用耐磨硬质涂层变得越来越重要, 不仅可以节约成本, 而且还能提高材料的使用寿命。ZrB2涂层具有较高的化学稳定性、高的电导率和热导率、良好的阻燃性及高的抗氧化和抗腐蚀性能等优点，更具有超高的硬度。但是,ZrB2涂层作为耐磨涂层在使用过程中很容易破碎, 柱状晶的( 001) 织构使其具有各向异性, 而且其垂直于表面的晶界提供了短的裂纹扩展路径, 使涂层韧性大大降低。为了提高ZrB2涂层的韧性和耐磨性能, 可以在ZrB2涂层中掺杂适量氮元素, 制备具有纳米复合结构的Zr-B-N涂层。纳米复合涂层是由孤立的纳米晶（如nc-ZrN）镶嵌在很薄的非晶层(如a-BN)中形成的一种复合结构涂层，纳米晶硬度较高，非晶相塑性好，两相界面内聚能高，晶体相和非晶相在热力学上呈分离趋势；另外，细小的纳米晶内无法形成位错，晶粒间的薄非晶层可阻挡晶界滑移，大量的两相界面增加了微裂纹扩展阻力。故这种涂层具有高硬度、高韧性、优异的耐磨性能和高温热稳定性，适合用于切削刀具、模具，及机械零部件表面。纳米复合Zr-B-N涂层是将适量的氮元素掺杂于ZrB2涂层中，形成以非晶BN相包裹着纳米晶ZrN/ZrB2的复合结构。为研制结构致密、高硬度、高韧性的纳米复合涂层，本专利采用高功率脉冲和脉冲直流复合磁控溅射技术沉积纳米复合Zr-B-N涂层。高功率脉冲磁控溅射技术利用较高的脉冲峰值功率（超出传统磁控溅射2 ~ 3个数量级）和较低的脉冲占空比（0.5 % ~ 10 %）来实现高金属离化率，这样在偏压电场的作用下，带电粒子会加速轰击基体表面起到清洗作用，同时也为保障涂层硬度提供了大量的金属Zr离子。基体表面经高能离子轰击后, 产生清洁的活化界面并促进局部表面的外延生长, 增强涂层的粘附性能。脉冲直流磁控溅射能有效地抑制电弧产生进而消除由此产生的涂层缺陷，同时可以提高涂层沉积速率、降低沉积温度。利用脉冲直流磁控溅射技术提供涂层中的B元素，由于BN的标准吉布斯自由能较低（-250.3 kJ/mol），反应气体N2在离化后很容易与B元素形成塑性较好的非晶BN相。本专利技术利用高功率脉冲和脉冲直流复合磁控溅射技术在金属或合金基体上沉积纳米复合Zr-B-N涂层，在保证涂层硬度的前提下，进一步改善其韧性。本工作实现了利用大量的两相（非晶和纳米晶）界面阻挡微裂纹的萌生和扩展，从而提高了涂层的韧性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种兼具高硬度和高韧性的Zr-B-N涂层及其制备工艺。本专利技术的技术方案为：采用高功率脉冲和脉冲直流复合磁控溅射技术在金属或合金基体上沉积纳米复合Zr-B-N涂层，为提高涂层与基体间的结合强度，在沉积Zr-B-N涂层之前，先利用高功率脉冲磁控溅射技术轰击清洗基体，之后沉积约300 nm厚的金属Zr过渡层，起缓冲内应力的作用。为增加涂层中Zr元素的含量，高功率脉冲磁控溅射靶选用金属Zr，脉冲直流磁控溅射靶选用化合物ZrB2，通过适量添加N元素形成纳米复合结构来改善涂层的韧性。镀膜时严格控制反应气体N2流量和各个靶的电源功率，以制备出结构致密、高硬度、高韧性的纳米复合涂层（nc-ZrN, ZrB2/a-BN）。沉积参数：先将真空室的本底真空抽至2.0×10-3 Pa，然后在真空室内通入氩气对试样表面进行辉光放电清洗，工作压强保持在3.0×10-1 Pa，加-600 V直流偏压，放电清洗时间5 min；之后开通高功率脉冲磁控溅射电源，平均输出功率0.8 kW，控制金属Zr靶起辉，靶电流约65A，再轰击清洗5 min；之后降低偏压至-100 V，先沉积金属Zr过渡层10 min，Zr靶基距保持在100 mm，沉积温度300 ℃；随后通入反应气体N2（纯度99.999%），保持氮气流量比N2/(Ar+N2) =0.5，并利用喉阀将工作压力调至4.0×10-1 Pa，同时开启脉冲直流磁控溅射电源，控制ZrB2靶起辉，ZrB2靶基距离120 mm，输出功率0.3 kW，靶电流约2.6 A，靶电压约370 V，占空比60 %，基体偏压仍为-100 V，开始沉积Zr-B-N涂层；沉积时间根据工件技术要求而定。该纳米复合Zr-B-N涂层可应用于各种金属及合金基体；也可应用于陶瓷材料表面。本专利技术的优点如下：1、 本专利技术研制的纳米复合Zr-B-N涂层化学性能稳定，不与常见的化学腐蚀介质反应。涂层中非晶BN相可有效阻挡微裂纹的萌生与扩展，极大地提高了涂层韧性。2、 本专利技术研制的纳米复合Zr-B-N涂层具有较高的硬度和韧性，摩擦系数低，耐磨性能好。3、 本专利技术研制的Zr-B-N涂层厚度均匀且结构致密，与基体具有良好的结合强度。4、 本专利技术研制的Zr-B-N涂层抗冲击载荷性能良好。5、 本专利技术研制的纳米复合Zr-B-N涂层制备工艺重复性好，与多层膜相比，前者应用范围更广，实用性更强，尤其应用于复杂的零部件表面，具有独特优势。附图说明图1为高功率脉冲和脉冲直流磁控溅射靶材布局图。图2为单晶Si片（（100）取向）上沉积Zr-B-N涂层的断面形貌图。图3为单晶Si片（（100）取向）上沉积Zr-B-N涂层的透射电镜高分辨图像及选区电子衍射斑点图。图4为单晶Si片（（100）取向）上沉积Zr-B-N涂层的X射线衍射谱图图5为不锈钢基体上沉积ZrB2涂层划痕测试后的形貌图。图6为不锈钢基体上沉积Zr-B-N涂层的摩擦系数测试曲线图。具体实施方式下面通过实例对本专利技术作进一步详细说明。实施例1本实施例为在已镜面抛光的单晶Si片（（100）取向）上沉积Zr-B-N涂层，试样尺寸为40×30×0.7 mm。基片先分别在丙酮和酒精溶液中各超声清洗20分钟，然后用高纯氮气吹干，再正对靶材放置于真空室内试样架上。镀膜过程在V-TECH AS610型高功率脉冲和脉冲直流复合磁控溅射镀膜机上进行，阴极靶材分别选用金属Zr和化合物ZrB2（纯度均为wt.99.9%），工作气体和反应气体分别选用Ar和N2（纯度均为99.999%），图1为高功率脉冲和脉冲直流磁控溅射靶材布局图。先将真空室的本底真空抽至2.0×10-3 Pa，然后在真空室内通入氩气对试样表面进行辉光放电清洗，压强升至3.0×10-1 Pa，加-600 V直流偏压，放电清洗时间5 min；之后开通高功率脉冲磁控溅射电源，设置平均输出功率为0.8 kW，控制金属Zr靶起辉，靶电流约65 A，再轰击清洗5 min；之后降低偏压至-100 V，先沉积金属Zr过渡层10 min，Zr靶基距保持在100 mm，沉积温度300 ℃；随后通入反应气体N2（纯度99.999%），保持氮气流量比N2/(Ar+ N2) =0.5，并利用喉阀将工作压力调至4.0×10-1 Pa，同时开启脉冲直流磁控溅射电源，调节ZrB2靶起辉，ZrB2靶基距离120 mm，输出功率0.3 kW，靶电流约2.6 A，靶电压约370 V，占空比60 %，基体偏压仍为-100 V，开始沉积Zr-B-N涂层；镀膜时间持续240分钟。图2为Zr-B-N涂层的断面形貌，可以看出采用本专利技术工艺制备的Zr-B-N涂层组织致密均匀，截面无明显的特征，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种Zr‑B‑N纳米复合涂层的制备工艺，其特征在于：采用高功率脉冲和脉冲直流复合磁控溅射技术在金属或合金基体上沉积Zr‑B‑N涂层。
【技术特征摘要】
2016.01.11 CN 20161001153241.一种Zr-B-N纳米复合涂层的制备工艺，其特征在于：采用高功率脉冲和脉冲直流复合磁控溅射技术在金属或合金基体上沉积Zr-B-N涂层。2.按照权利要求1所述Zr-B-N涂层的制备工艺，其特征在于：先利用高功率脉冲磁控溅射技术溅射金属Zr靶，对基体表面进行轰击清洗，随后沉积金属Zr过渡层，再同时采用高功率脉冲和脉冲直流磁控溅射技术分别溅射金属Zr靶和化合物ZrB2靶，在氮气气氛中反应沉积Zr-B-N涂层。3.按照权利要求2所述Zr-B-N涂层的制备工艺，其特征在于：先将真空室的本底真空抽至2.0×10-3 Pa，然后在真空室内通入氩气对试样表面进行辉光放电清洗，工作压强保持在3.0×10-1 Pa，加-600 V直流偏压，放电清洗时间5...
【专利技术属性】
技术研发人员：王铁钢，刘艳梅，范其香，董玉，阎兵，戚厚军，李彤，
申请(专利权)人：天津职业技术师范大学，
类型：发明
国别省市：天津;12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。