金属网格触摸屏结构及其制作方法技术

技术编号:13589664 阅读:130 留言:0更新日期:2016-08-25 17:13
本发明专利技术涉及一种消除金属网格触摸屏中产生的莫尔效应的金属网格触摸屏结构及其制作方法。该金属网格触摸屏结构,包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层,所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层,而所述贴合层中包括具有第二分布图形的金属网格层,所述第一分布图形与所述第二分布图形相对应设置。采用金属网格与像素层中像素定义层对应设置,可以有效改善金属网格应用于触摸屏中的莫尔效应(Moire effect)的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触摸屏领域,尤其涉及一种消除金属网格触摸屏中产生的莫尔效应的金属网格触摸屏结构及其制作方法
技术介绍
在现有的触摸屏结构中,采用金属网格(Metal mesh)替代氧化铟锡物(ITO),解决在触摸面板中使用氧化铟锡物材料所产生的两个主要问题:一是氧化铟锡物应用在玻璃传感器上的光学问题,氧化铟锡物会使整体光学尤其是穿透率下降,而金属网格为网格状,若能完全匹配AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,主动矩阵有机发光二极体面板)的像素定义层,将不会有穿透率的损失。二是片电阻值过高的问题,现在业界氧化铟锡物的沉积技术,在玻璃基材上的片电阻可以达到50ohm/s,而金属网格虽然是金属材料,但因为网格的尺寸为每英寸上有250个孔,线宽为5um,导致原本的0.5ohm/s的片电阻需重新计算为等效片电阻,以模拟软体计算出的等效片电阻为50ohm/s,实际量测为30ohm/s,甚至更低,故在片电阻值上可以取代氧化铟锡物。但是使用金属网格触控面板,其网格结构在显示屏上造成视觉波纹的莫尔效应(Moire effect),莫尔效应是当注视一组线或点与另一组线或点的叠层时的一种视觉效果,这两组线或点相对大小,角落或间距上不同。有时也称为莫瑞效应、摩尔纹、或水波纹等。这样的波纹对于肉眼是可视的,使用者对于这种现象不能接受。金属网格在使用时会与AMOLED的像素层(Pixel Define Layer)产生莫尔效应,其中有两种情况莫尔效应会特别严重,第一种是当金属网格与像素层为一特殊夹角时,莫尔效应的情况容易看见,如图1所示,显示了金属网格与像素层存在夹角时,产生莫尔效应的示意图。第二种是当金属网格的网格平行于像素层的时候,因网格与像素层形成周期性的条纹,导致莫尔效应的出现,如图2所示,显示了金属网格与像素层平行时,产生莫尔效应的示意图。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种金属网格触控屏结构及其制作方法,可以解决采用金属网格实现触控屏时产生莫尔效应的问题。实现上述目的的技术方案是:本专利技术一种金属网格触摸屏结构,包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层,所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层,而所述贴合层中包括具有第二分布图形的金属网格层,所述第一分布图形与所述第二分布图形相对应设置。采用金属网格层中的以第二分布图形设置的金属网格与像素层中以第一分布图形设置的像素定义层相对应设置,即将金属网格与像素定义层对齐设置,可以有效改善金属网格应用于触摸屏中的莫尔效应的问题。将金属网格的第二分布图形匹配于像素定义层的第一分布图形,纵向上看,金属网格完全设于像素定义层的范围内,在视觉效果上不会产生莫尔效应。本专利技术金属网格触摸屏结构的进一步改进在于,所述金属网格层形成于所述贴合层内,且位于所述封装层的上表面。将金属网格层设于封装层上表面,由于在AMOELD的背侧,对位公差小于10um,可以减小第二分布图形和第一分布图形的对应匹配误差,保证消除莫尔效应现象。本专利技术金属网格触摸屏结构的进一步改进在于,所述金属网格层形成于所述贴合层的上表面,且位于所述触摸层内。本专利技术金属网格触摸屏结构的进一步改进在于,其特征在于,所述像素定义层具有第一宽度,所述金属网格层具有第二宽度,所述第一宽度大于所述第二宽度。本专利技术金属网格触摸屏结构的进一步改进在于,所述第一宽度为18um至22um,所述第二宽度为4um至6um。本专利技术一种金属网格触摸屏结构,包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层,所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层,所述AMOLED结构层上包括具有第二分布图形的金属网格层,所述第一分布图形与所述第二分部图形相对应设置。本专利技术金属网格触摸屏结构的进一步改进在于,所述金属网格层设于所述AMOLED结构层和所述像素层之间,且位于所述AMOLED结构层的上表
面。金属网格层设于像素层和AMOLED结构层之间,由于在AMOELD的内侧,对位公差小于10um,可以减小第二分布图形和第一分布图形的对应匹配误差,保证消除莫尔效应现象。本专利技术金属网格触摸屏结构的进一步改进在于,所述像素定义层具有第一宽度,所述金属网格层具有第二宽度,所述第一宽度大于所述第二宽度。金属网格的线宽小于像素定义层,使得金属网格的周期排布匹配于像素层的周期成为可能,进而可以实现消除莫尔效应的现象。本专利技术金属网格触摸屏结构的进一步改进在于,所述第一宽度为18um至22um,所述第二宽度为4um至6um。本专利技术一种金属网格触摸屏结构的制作方法,制作AMOLED结构;于AMOLED结构层之上制作像素层,所述像素层包括具有第一分布图形的像素定义层;于像素层之上制作封装层;于封装层之上制作具有第二分布图形的金属网格层,将所述第二分布图形与所述第一分布图形对应设置;于所述金属网格层之上贴合触摸层。本专利技术金属网格触摸屏结构的制作方法的进一步改进在于,将所述像素定义层以第一宽度进行设置,将所述金属网格层中的金属网格以第二宽度进行设置,所述第一宽度大于所述第二宽度。本专利技术一种金属网格触摸屏结构的制作方法,制作AMOLED结构;于AMOLED结构之上制作具有第二分布图形的金属网格层以及像素层,所述像素层包括具有第一分布图形的像素定义层,将所述第一分布图形与所述第二分布图形对应设置;于所述像素层之上制作封装层;于所述封装层贴合触摸层。本专利技术金属网格触摸屏结构的制作方法的进一步改进在于,将所述像素定义层以第一宽度进行设置,将所述金属网格层中的金属网格以第二宽度进行设置,所述第一宽度大于所述第二宽度。附图说明图1为现有技术中金属网格和像素层成夹角时产生莫尔效应的示意图;图2为现有技术中金属网格和像素层平行时产生莫尔效应的示意图;图3为本专利技术中金属网格和像素层中的像素定义层周期一致消除莫尔效应的示意图;图4为本专利技术金属网格触摸屏结构中将金属网格置于触摸层中的结构示意图;图5为本专利技术金属网格触摸屏结构中将金属网格置于触摸层中产生莫瑞效應的结构示意图;图6为本专利技术金属网格触摸屏结构中将金属网格置于封装层之上的结构示意图;图7为本专利技术金属网格触摸屏结构中将金属网格置于AMOLED结构层和像素层之间的结构示意图;图8为本专利技术金属网格触摸屏结构的制作方法的第一较佳实施例;图9为本专利技术金属网格触摸屏结构的制作方法的第二较佳实施例。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明。请参阅图3所示,显示了本专利技术中采用金属网格和像素层中像素定义层对应设置,使得金属网格与像素定义层对齐,两者的周期一致,藉此消除莫尔效应的示意图。本专利技术金属网格触摸屏结构及其制作方法,采用金属网格和像素层中像素定义层的周期一致的方法,金属网格与像素层中的像素定义层相对应,可实现消除莫尔效应的效果,像素定义层的宽度大于金属网格的线宽,使得金属网格置于像素定义层内,视觉上不会产生莫尔效应现象,有效改善金属网格重叠而产生的摩尔纹现象。下面结合附图,对本专利技术金属网格触摸屏结构及其制作方法进行说明。请参阅图4,显示了本专利技术金属网格触摸屏结构中将金属网格置于触摸层中的结构示意图。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种金属网格触摸屏结构,包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层,其特征在于,所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层,而所述贴合层中包括具有第二分布图形的金属网格层,所述第一分布图形与所述第二分布图形相对应设置。

【技术特征摘要】
1.一种金属网格触摸屏结构,包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层,其特征在于,所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层,而所述贴合层中包括具有第二分布图形的金属网格层,所述第一分布图形与所述第二分布图形相对应设置。2.如权利要求1所述的金属网格触摸屏结构,其特征在于,所述金属网格层形成于所述贴合层内,且位于所述封装层的上表面。3.如权利要求1所述的金属网格触摸屏结构,其特征在于,所述金属网格层形成于所述贴合层的上表面,且位于所述触摸层内。4.如权利要求1至3任一项所述的金属网格触摸屏结构,其特征在于,所述像素定义层具有第一宽度,所述金属网格层具有第二宽度,所述第一宽度大于所述第二宽度。5.如权利要求4所述的金属网格触摸屏结构,其特征在于,所述第一宽度为18um至22um,所述第二宽度为4um至6um。6.一种金属网格触摸屏结构,包括依次设置的AMOLED结构层、像素层、封装层、贴合层、以及触摸层,其特征在于,所述像素层中包括具有第一分布图形的像素定义层,所述AMOLED结构层上包括具有第二分布图形的金属网格层,所述第一分布图形与所述第二分部图形相对应设置。7.如权利要求5所述的金属网格触摸屏结构,其特征在于,所述金属网格层设于所述AMOLED结构层和所述像素层之间,且位于所述AMOLED结构层的上表面。8.如权利要求6或7所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:林育蔚杜娟
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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