一种电压检测电路和FLASH存储器制造技术

本发明专利技术实施例提供一种电压检测电路和FLASH存储器，电压检测电路包括：第一电容模块，第一电容模块由至少一个平板电容构成，第一电容模块中各平板电容对应的浮栅分别与电荷泵电路的输出端相连；第二电容模块，第二电容模块由至少一个平板电容构成，第二电容模块中各平板电容对应的浮栅分别接地；比较器，比较器的第一输入端分别与第一电容模块中各平板电容对应的控制栅、第二电容模块中各平板电容对应的控制栅相连，比较器的第二输入端与预设参考电压的提供端相连，比较器的输出端与电荷泵电路的控制端相连，当比较器的第一输入端电压大于或等于预设参考电压时，比较器关闭电荷泵电路。本发明专利技术实施例的电压检测电路可以获得更准确的检测结果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器
，特别是涉及一种电压检测电路和一种FLASH存储器。
技术介绍
FLASH(闪存)存储器中常常会用到电荷泵电路，电荷泵电路通过电压检测电路检测电荷泵电路的输出电压是否达到目标值。传统的电容型电压检测电路如图1所示。图1中，HV’是电荷泵电路的输出电压，REGLVL’是反馈电压，Vref’为基准电压，C0’为第一电容，C1’为第二电容，比较器1’将反馈电压REGLVL’与基准电压Vref’进行比较，根据比较结果决定电荷泵电路是否继续工作。图1所示的电容型电压检测电路的反馈响应速度快，但是该检测电路需要精确的电容。而在FLASH存储器工艺中没有专门的电容器件，例如MIM(Metal-Insulator-Metal，金属-绝缘介质-金属)电容、MOM(Metal-Oxide-Metal，金属-氧化物-金属)电容等，只将MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)管作为电容使用。MOS管电容值与反型层有关系，MOS管工作时，电容值不固定，这样会造成电容型电压检测电路的检测结果不准确。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术实施例的目的在于提供一种电压检测电路和一种FLASH存储器，以解决传统的电容型电压检测电路电容值不固定造成检测结果不准确的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种电压检测电路，应用于FLASH存储器，所述FLASH存储器包括至少一个电荷泵电路、多个浮栅MOS管，每个所述浮栅MOS管的控制栅与浮栅之间具有平板电容，所述电
压检测电路包括：第一电容模块，所述第一电容模块由至少一个所述平板电容构成，所述第一电容模块中各平板电容对应的浮栅分别与所述电荷泵电路的输出端相连；第二电容模块，所述第二电容模块由至少一个所述平板电容构成，所述第二电容模块中各平板电容对应的浮栅分别接地；比较器，所述比较器的第一输入端分别与所述第一电容模块中各平板电容对应的控制栅、所述第二电容模块中各平板电容对应的控制栅相连，所述比较器的第二输入端与预设参考电压的提供端相连，所述比较器的输出端与所述电荷泵电路的控制端相连，当所述比较器的第一输入端电压大于或等于所述预设参考电压时，所述比较器关闭所述电荷泵电路。具体地，当所述比较器的第一输入端电压小于所述预设参考电压时，维持所述电荷泵电路处于工作状态。可选地，所述浮栅MOS管为N型浮栅MOS管或P型浮栅MOS管。可选地，所述比较器的第一输入端为反向输入端，所述比较器的第二输入端为同向输入端。可选地，所述比较器的第一输入端为同向输入端，所述比较器的第二输入端为反向输入端。本专利技术实施例还公开了一种FLASH存储器，包括至少一个电荷泵电路、多个浮栅MOS管和至少一个所述的电压检测电路，每个所述浮栅MOS管的控制栅与浮栅之间具有平板电容，所述至少一个电压检测电路与所述至少一个电荷泵电路一一对应。本专利技术实施例包括以下优点：将由至少一个平板电容构成的第一电容模块和由至少一个平板电容构成的第二电容模块作为电压检测电路中的电容，设置第一电容模块中各平板电容对应的浮栅分别与电荷泵电路的输出端相连，第二电容模块中各平板电容对应的浮栅分别接地，以及将比较器的第一输入端分别与第一电容模块中各平板电容对应的控制栅、第二电容模块中各平板电容对应的控制栅相连，比较器检测第一电容模块和第二电容模块之间
的电压，并当该电压大于或等于预设参考电压时，关闭电荷泵电路。由于平板电容为浮栅MOS管中不受反型层影响的平板电容，平板电容的电容值在浮栅MOS管工作时固定，因此，本专利技术实施例的电压检测电路可以获得更准确的检测结果。附图说明图1是传统的电容型电压检测电路；图2是本专利技术的一种电压检测电路实施例的结构示意图；图3是本专利技术的一种电压检测电路具体实施例中各平板电容的连接示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参照图2，示出了本专利技术的一种电压检测电路实施例的结构框图，其中，电压检测电路1应用于FLASH存储器，FLASH存储器包括至少一个电荷泵电路2、多个浮栅MOS管3，每个浮栅MOS管3的控制栅CG与浮栅FG之间具有平板电容。参照图2，电压检测电路1具体可以包括如下模块：第一电容模块10，第一电容模块10由至少一个平板电容构成，第一电容模块10中各平板电容对应的浮栅FG分别与电荷泵电路2的输出端相连，电荷泵电路2输出电压HV；第二电容模块20，第二电容模块20由至少一个平板电容构成，第二电容模块20中各平板电容对应的浮栅FG分别接地；比较器30，比较器30的第一输入端分别与第一电容模块10中各平板电容对应的控制栅CG、第二电容模块20中各平板电容对应的控制栅CG相连，比较器30的第二输入端与预设参考电压的提供端相连，预设参考电压的提供端提供预设参考电压Vref，比较器30的输出端与电荷泵电路2的控制端相连，当比较器30的第一输入端电压REGLVL大于或等于预设参考电压Vref时，说明电荷泵电路2的输出电压HV达到目标值，比较器30关闭电荷泵
电路2。具体地，当比较器30的第一输入端电压REGLVL小于预设参考电压Vref时，说明电荷泵电路2的输出电压HV未达到目标值，维持电荷泵电路2处于工作状态，直至比较器30的第一输入端电压REGLVL大于或等于预设参考电压Vref。具体地，预设参考电压Vref可以根据上述目标值、第一电容模块10的大小和第二电容模块20的大小等因素进行设置。可选地，浮栅MOS管可以为N型浮栅MOS管或P型浮栅MOS管。可选地，比较器30的第一输入端为反向输入端，比较器30的第二输入端为同向输入端，或比较器30的第一输入端为同向输入端，比较器30的第二输入端为反向输入端。具体地，第一电容模块10中至少一个平板电容的个数、第一电容模块10的电容大小，以及第二电容模块20中至少一个平板电容的个数、第二电容模块20的电容大小可以根据电荷泵电路2的输出电压HV和预设参考电压Vref进行设置。参照图3，在本专利技术的一个具体实施例中，第一电容模块10中至少一个平板电容的个数为1个，第二电容模块20中至少一个平板电容的个数为2个，第一电容模块10中平板电容对应的控制栅CG与比较器30的第一输入端相连，即第一电容模块10中平板电容对应的控制栅CG的电压为电压REGLVL，第一电容模块10中平板电容对应的浮栅FG与电荷泵电路2的输出端相连，即第一电容模块10中平板电容对应的浮栅FG的电压为电压HV；第二电容模块20中各平板电容对应的控制栅CG分别与比较器30的第一输入端相连，即第二电容模块20中各平板电容对应的控制栅CG的电压为电压REGLVL，第二电容模块20中各平板电容对应的浮栅FG分别接地。其中，图3中，N+为N井的引出端，P+为P井的引出端。由于控制栅CG没有寄生电容，所以比较器30的第一输入端没有寄生电容。虽然浮栅FG有相对于P型衬底的寄生电容，但电荷泵电路2的输出端、地的寄生电容并不影响电压检测电路1检测电压。因此，本专利技术实施例
中，平板电容为不受反型层影响的平板电容，平板电容的电容值在浮栅MOS管工作时固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压检测电路，应用于FLASH存储器，其特征在于，所述FLASH存储器包括至少一个电荷泵电路、多个浮栅MOS管，每个所述浮栅MOS管的控制栅与浮栅之间具有平板电容，所述电压检测电路包括：第一电容模块，所述第一电容模块由至少一个所述平板电容构成，所述第一电容模块中各平板电容对应的浮栅分别与所述电荷泵电路的输出端相连；第二电容模块，所述第二电容模块由至少一个所述平板电容构成，所述第二电容模块中各平板电容对应的浮栅分别接地；比较器，所述比较器的第一输入端分别与所述第一电容模块中各平板电容对应的控制栅、所述第二电容模块中各平板电容对应的控制栅相连，所述比较器的第二输入端与预设参考电压的提供端相连，所述比较器的输出端与所述电荷泵电路的控制端相连，当所述比较器的第一输入端电压大于或等于所述预设参考电压时，所述比较器关闭所述电荷泵电路。

【技术特征摘要】
1.一种电压检测电路，应用于FLASH存储器，其特征在于，所述FLASH存储器包括至少一个电荷泵电路、多个浮栅MOS管，每个所述浮栅MOS管的控制栅与浮栅之间具有平板电容，所述电压检测电路包括：第一电容模块，所述第一电容模块由至少一个所述平板电容构成，所述第一电容模块中各平板电容对应的浮栅分别与所述电荷泵电路的输出端相连；第二电容模块，所述第二电容模块由至少一个所述平板电容构成，所述第二电容模块中各平板电容对应的浮栅分别接地；比较器，所述比较器的第一输入端分别与所述第一电容模块中各平板电容对应的控制栅、所述第二电容模块中各平板电容对应的控制栅相连，所述比较器的第二输入端与预设参考电压的提供端相连，所述比较器的输出端与所述电荷泵电路的控制端相连，当所述比较器的第一输入端电压大于或等于所述预设参考电压时，所述比较器关闭所述电荷...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓璐，刘铭，胡俊，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11