用于纹理化腔室部件的方法和具有纹理化表面的腔室部件技术

提供一种用于腔室部件上的纹理化表面的方法，并且所述方法包括：提供腔室部件；将光刻胶层施加至所述腔室部件的表面；使用掩模来将所述光刻胶的一部分暴露于光能，以便固化所述光刻胶的一部分；将未固化的光刻胶从所述表面上移除；和对所述腔室部件进行电化学蚀刻，以在所述腔室部件上形成纹理化表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文所披露的实施方式大体涉及用于改变材料的表面的方法。更具体地，本文所披露的实施方式涉及用于改变用于工艺腔室中的部件的表面的方法并且提供腔室部件上的纹理化表面。
技术介绍
由于集成电路装置的制造尺寸持续减小，因此这些装置的制造更易因污染而降低产出率。因此，制造集成电路装置、尤其是具有更小物理尺寸的那些装置需要比以前认为必需的程度更大程度地控制污染。集成电路装置的污染可能由在薄膜沉积、蚀刻或其他半导体制造工艺期间撞击基板上的来源(诸如不希望有的杂散颗粒)造成。一般来说，集成电路装置的制造包括使用工艺腔室，诸如物理气相沉积(PVD)腔室和溅射腔室、化学气相沉积(CVD)腔室、等离子体蚀刻腔室，在此仅仅列举几个。在沉积和蚀刻工艺过程期间，材料常从气相冷凝并沉积到腔室中的各个内表面上，以在腔室的这些表面上形成固体物质。这种沉积物质在腔室的内表面上累积，并易于在基板工艺工序之间或在基板工艺工序期间从内表面上脱离或剥落。随后，所脱离的物质可撞击并污染基板和基板上的装置。受污染的装置通常必须被弃用，由此降低工艺的制造产出率。为避免与所脱离的物质相关联的问题，腔室表面需要频繁且有时耗时的清洁步骤以将沉积物质从腔室表面移除。另外，不管执行多少次的清洁，在某些情况下，来自所脱离的物质的污染仍可能发生。因此，需要减少来自已沉积于工艺腔室的内表面上的物质的污染。
技术实现思路
在一个实施方式中，提供用于腔室部件上的纹理化表面的方法。所述方法包括：提供腔室部件；将光刻胶层施加至所述腔室部件的表面；使用掩模来将所述光刻胶的一部分暴露于光能，以便固化所述光刻胶的一部分；将未固化的光刻胶从所述表面上移除；和对所述腔室部件进行电化学蚀刻，以在所述腔室部件上形成纹理化表面。在另一实施方式中，提供用于处理腔室的腔室部件。所述部件包括纹理化表面，所述纹理化表面包括通过电化学蚀刻工艺形成的多个纹理化特征结构。所述纹理化特征结构每个包括多个凸起特征结构，所述多个凸起特征结构环绕和/或外接多个沟槽，并且所述沟槽的至少一部分相交。附图说明因此，为了详细理解本专利技术的上述特征、优点和目的，可以参照本专利技术的图示在附图中的实施方式对上文简要概述的本专利技术进行更具体的描述。图1是具有腔室部件的工艺腔室的简化的示意性截面图，所述腔室部件具有如本文所述的纹理化表面。图2A至图2H是示出用于在腔室部件上形成纹理化表面的工艺的示意图。图3A和图3B分别是可用作纹理化表面的纹理化特征结构的一个实施方式的等距视图和侧视截面图。图4A和图4B分别是可用作图1中所示的腔室部件上的纹理化表面的纹理化表面的俯视平面图和侧视截面图。图5A和图5B分别是可用作图1中所示的腔室部件上的纹理化表面的纹理化表面的俯视平面图和侧视截面图。图6A和图6B分别是可用作图1中所示的腔室部件上的纹理化表面的纹理化表面的俯视平面图和侧视截面图。为了便于理解，已尽可能使用相同的参考标记指定各图所共有的相同元件。应预见到，一个实施方式的要素和/或工艺步骤可有利地并入其他实施方式，而无需进一步叙述。具体实施方式图1是工艺腔室的简化的示意性截面图，所述工艺腔室被示例性地示为其中污染可使用本文所述的实施方式减少的溅射腔室100。可受益于如本文所述的表面处理的其中基板被暴露于一种或更多种气相材料的其他工艺腔室包括物理气相沉积(PVD)腔室和离子金属等离子体(IMP)腔室、化学气相沉积(CVD)腔室、蚀刻腔室、分子束外延(molecularbeam epitaxy,MBE)腔室、原子层沉积(ALD)腔室等等。腔室例如还可以是蚀刻腔室，诸如等离子体蚀刻腔室。合适的工艺腔室的其他实例包括离子注入腔室、退火腔室以及其他炉腔(furnace chamber)。本文所披露的表面处理工艺以及工艺腔室可从California(加利福尼亚)州Santa Clara(圣克拉拉)市的Applied Materials,Inc.(应用材料公司)商购获得。可从其他制造商处商购到的工艺腔室以及腔室部件也可以受益于如本文所述的表面处理工艺。溅射腔室100包括真空腔室102和具有支撑表面106的基板支撑件104。基板支撑件104例如可为静电夹具(electrostatic chuck)。溅射腔室100还进一步包括屏蔽组件108和升降系统110。基板112(例如，半导体晶片)可在处理期间定位在基板支撑件104的支撑表面106上。为了清楚起见，某些硬件诸如进气歧管和/或真空泵被省去。示例性的真空腔室102包括圆柱形腔室壁114和支撑环116，支撑环116被安装至腔室壁114的顶部。腔室顶部由靶板118封闭，所述靶板118具有内表面120。靶板118通过位于靶板118与支撑环116之间的环形绝缘体122而与腔室壁114电绝缘。一般来说，为了确保真空腔室102中的真空压力的完整性，在绝缘体122上方和下方使用O形环(未示出)提供真空密封。靶板118可由将变为沉积物质的材料制成，或者靶板118可以包含沉积物质的涂层。为有利于溅射工艺，高压电源124连接至靶板118。基板支撑件104将基板112保持和支撑在真空腔室102内。基板支撑件104可以包含嵌入支撑主体128内的一个或更多个电极126。电极126由来自电极电源130的电压驱动，且响应于电压施加，基板112可由静电力被夹持到至基板支撑件104的支撑表面106。支撑主体128可以包含例如陶瓷材料。壁状圆柱形的屏蔽构件132被安装至支撑环116。屏蔽构件132的圆柱形形状是与真空腔室102和/或基板112的形状相符的屏蔽构件的示例。当然，屏蔽构件132可为任何形状。除了屏蔽构件132之外，屏蔽组件108还包括环形沉积环134，所述环形沉积环134具有经选择以使得该环在不接触基板112的情况下装配在基板112的周边边缘之上的内径以用作阴影环。沉积环134位于对准环136上，并且对准环136由从基板支撑件104延伸的凸缘支撑。在溅射沉积工艺期间，将工艺气体供应至真空腔室102并且将功率供应至靶板118。工艺气体被点燃(ignited)成等离子体并且朝着靶板118加速。工艺气体使颗粒从靶板118离开，并且颗粒沉积到基板112上，从而在基板上形成沉积材料的涂层。虽然屏蔽组件108通常将等离子体和溅射颗粒限制在反应区138内，但是不可避免的是，初始呈等离子体或气态的溅射颗粒冷凝于各个内部腔室表面上。例如，溅射颗粒可冷凝于屏蔽组件108的内表面140上、靶板118的内表面120上、支撑环116的内表面142上、沉积环134的表面144上以及其他内部腔室表面。此外，其他表面(诸如基板支撑件104的支撑表面106)可在沉积工序期间或在沉积工序之间受到污染。一般来说，术语“内表面”是指具有与真空腔室102的界面的任何表面。“腔室部件”是指完全或部分容纳在真空腔室102内的任何可拆卸的元件。腔室部件可为真空腔室部件，即，放置在真空腔室(例如像真空腔室102)内的腔室部件。腔室部件的内表面上形成的冷凝物质通常仅仅具有有限的粘附性，并且可从部件分离而且污染基板112，这减少了在基板112上形成的装置的产出率。为了减少冷凝物质从工艺腔室部件脱离的趋势，例如像屏蔽组件108、靶板118、支撑环116、沉积环134本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于腔室部件上的纹理化表面的方法，所述方法包括：提供腔室部件；将光刻胶层施加至所述腔室部件的表面；使用掩模来将所述光刻胶的一部分暴露于光能，以便固化所述光刻胶的一部分；将未固化的光刻胶从所述表面上移除；和对所述腔室部件进行电化学蚀刻，以在所述腔室部件上形成纹理化表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于腔室部件上的纹理化表面的方法，所述方法包括：提供腔室部件；将光刻胶层施加至所述腔室部件的表面；使用掩模来将所述光刻胶的一部分暴露于光能，以便固化所述光刻胶的一部分；将未固化的光刻胶从所述表面上移除；和对所述腔室部件进行电化学蚀刻，以在所述腔室部件上形成纹理化表面。2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻期间，所述腔室部件包括阳极。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述腔室部件包括屏蔽组件、靶板、支撑环、沉积环、支撑主体、对准环或基板支撑件。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述腔室部件包含铝、不锈钢或钛。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述纹理化表面包括多个圆形结构。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述圆形结构的至少一部分相交。7.根据权利要求5所述的方法，其中所述圆形结构包括形成在其中的凹槽。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述纹理化表面包括多个凸起特征结构，所述多个凸起特征结构环绕和/或...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄曦，徐文龙，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US