【技术实现步骤摘要】
本技术涉及太阳能电池设备领域，具体涉及一种多晶硅还原炉。
技术介绍
在生产多晶硅的生产技术中，改良西门子法为主要的生产方法。在生产多晶硅棒的过程中，将三氯氢硅(SiHCl3)和氢气(H2)按一定比例混合后通往还原炉反应器内，反应器内设有用于提供附着体的硅芯。在反应器温度达1000～1200℃时，三氯氢硅被氢气还原后，生成硅并不断附着在硅芯上，最终得到硅棒。其中，还原炉上安装有用于观察硅芯直径的观察窗，在操作人员观察到其中的硅芯直径大概生长至预定的数值时，进行停车操作。由于操作人员在观察硅芯的直径过程中，只能凭感觉，没有特定的参照，采用上述观察的生产方法生产出来的硅棒的直径误差较大，规格不统一。
技术实现思路
为了克服
技术介绍
的不足，本技术提供了一种多晶硅棒在还原反应过程中能统一多晶硅棒大小规格的多晶硅还原炉。本技术所采用的技术方案是：一种多晶硅还原炉，包括有炉体及硅芯，所述的炉体内还设有用于支撑硅芯的硅芯支撑组件，所述硅芯支撑组件包括有设于炉体底部的底座、设于底座上的卡瓣以及标尺，所述硅芯设置在卡瓣上；所述的炉体上还设有可对晶硅还原反应时间进行控制的控制装置。作为优选的技术方案，所述控制装置包括有电源、开关、计时器、处理器及控制模块，所述的电源、开关、计时器、处理器及控制模块相互电连接，所述的炉体上设有加热装置，所述的控制模块与加热装置连接。作为优选的技术方案，所述的底座上设有开口，所述的卡瓣连接硅芯一端的另一端插入开口内与底座插接连接，所述的卡瓣与底座之间设有限位件。作为优选的技术方案，所述的限位件包括有设于底座开口处的限位槽及设于卡瓣上并与限位槽适配的限...
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉，包括有炉体及硅芯，其特征在于：所述的炉体内还设有用于支撑硅芯的硅芯支撑组件，所述硅芯支撑组件包括有设于炉体底部的底座、设于底座上的卡瓣以及标尺，所述硅芯设置在卡瓣上；所述的炉体上还设有可对晶硅还原反应时间进行控制的控制装置。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉，包括有炉体及硅芯，其特征在于：所述的炉体内还设有用于支撑硅芯的硅芯支撑组件，所述硅芯支撑组件包括有设于炉体底部的底座、设于底座上的卡瓣以及标尺，所述硅芯设置在卡瓣上；所述的炉体上还设有可对晶硅还原反应时间进行控制的控制装置。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉，其特征在于：所述控制装置包括有电源、开关、计时器、处理器及控制模块，所述的电源、开关、计时器、处理器及控制模块相互电连接，所述的炉体上设有加热装置，所述的控制模块与加热装置连接。3.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：张明河，张一麦，
申请(专利权)人：浙江谷高光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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