一种超薄封装件及其制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种超薄封装件，包括塑封体以及封装在塑封体内的芯片、镀银层、镀NiPdAu层、铜连接层和键合线，芯片、镀银层、铜连接层、镀NiPdAu层和键合线构成了电路的电源和信号通道，所述的铜连接层有多个，每个铜连接层的上表面和下表面分别设置有镀银层和镀NiPdAu层，所述的多个镀银层相互独立，所述的芯片设置在部分镀银层上，无芯片的镀银层通过键合线与芯片连接，由于可以免电镀、免贴膜，生产成本可以大幅降低，产品更有竞争力；还公开了上述超薄封装件的制作工艺，采用普通框架即可进行产品制作流程，无需过多加工框架载体，缩短设计周期，降低成本，更好地实现芯片与载体的互联，使I/O 更加密集。

【技术实现步骤摘要】
201510002443

【技术保护点】
一种超薄封装件，其特征在于：包括塑封体（4）以及封装在塑封体（4）内的芯片（3）、镀银层（5）、镀NiPdAu层（6）、铜连接层（7）和键合线（8），芯片（3）、镀银层（5）、铜连接层（7）、镀NiPdAu层（6）和键合线（8）构成了电路的电源和信号通道，所述的铜连接层（7）有多个，每个铜连接层（7）的上表面和下表面分别设置有镀银层（5）和镀NiPdAu层（6），所述的多个镀银层（5）相互独立，所述的芯片（3）设置在部分镀银层（5）上，无芯片（3）的镀银层（5）通过键合线（8）与芯片（3）连接。

【技术特征摘要】
1.一种超薄封装件，其特征在于：包括塑封体（4）以及封装在塑封体（4）内的芯片（3）、镀银层（5）、镀NiPdAu层（6）、铜连接层（7）和键合线（8），芯片（3）、镀银层（5）、铜连接层（7）、镀NiPdAu层（6）和键合线（8）构成了电路的电源和信号通道，所述的铜连接层（7）有多个，每个铜连接层（7）的上表面和下表面分别设置有镀银层（5）和镀NiPdAu层（6），所述的多个镀银层（5）相互独立，所述的芯片（3）设置在部分镀银层（5）上，无芯片（3）的镀银层（5）通过键合线（8）与芯片（3）连接。2.根据权利要求1所述的一种超薄封装件，其特征在于，所述无芯片（3）的镀银层（5）上设置有与键合线（8）连接的金属凸点（2），所述的金属凸点（2）、芯片（3）、镀银层（5）、铜连接层（7）、镀NiPdAu层（6）和键合线（8）构成了电路的电源和信号通道。3.根据权利要求1或2所述的一种超薄封装件，其特征在于，所述的镀银层（5）和镀NiPdAu层（6）的厚度为3—5um。4.根据权利要求3所述的一种超薄封装件，其特征在于，所述的塑封体（4）的厚度小于0.35mm。5.根据权利要求4所述的一种超薄封装件，其特征在于，所述的铜连接层（7）下端的一组相对边设置有倒角。6.根据权利要求5所述的一种超薄封装件，其特征在于，所述的倒角为直角倒...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋波，梁大钟，施保球，刘兴波，
申请(专利权)人：广东气派科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44