彩色图像传感器及其制造方法技术

本公开的实施方式涉及一种彩色图像传感器及其制造方法，该彩色图像传感器包括形成在半导体层中的像素的阵列，半导体层具有接收照射的后侧。隔离的导电壁从半导体层的后侧穿入半导体层并且将像素彼此分离。对于每个像素，彩色像素从半导体层的后侧穿入半导体厚度的5％至30％并且占据由壁界定的表面区域的至少90％。导电层从滤色器的侧壁延伸直到所述壁。

【技术实现步骤摘要】
201510834991

【技术保护点】
一种制造彩色图像传感器的方法，所述彩色图像传感器包括形成在半导体层(1)中的像素(7A、7B)的阵列，所述方法包括以下的连续步骤：蚀刻绝缘沟槽(19)，所述绝缘沟槽穿入所述半导体层中并且将所述像素彼此分离；沉积绝缘涂层(17)以及填充所述绝缘沟槽的导电材料(25)；针对每个像素，蚀刻腔体(33)，所述腔体穿过所述导电材料(25)、穿入所述半导体层的厚度的5％至30％、并且占据由所述绝缘沟槽界定的表面区域的至少90％；以及使用滤色材料(39A、39B)填充每个腔体。

【技术特征摘要】
2015.02.10 FR 15510351.一种制造彩色图像传感器的方法，所述彩色图像传感器包括形成在半导体层(1)中的像素(7A、7B)的阵列，所述方法包括以下的连续步骤：蚀刻绝缘沟槽(19)，所述绝缘沟槽穿入所述半导体层中并且将所述像素彼此分离；沉积绝缘涂层(17)以及填充所述绝缘沟槽的导电材料(25)；针对每个像素，蚀刻腔体(33)，所述腔体穿过所述导电材料(25)、穿入所述半导体层的厚度的5％至30％、并且占据由所述绝缘沟槽界定的表面区域的至少90％；以及使用滤色材料(39A、39B)填充每个腔体。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述导电材料(25)对光是不透明的。3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述导电材料(25)为金属。4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在沉积所述导电材料(25)之前在所述绝缘涂层(17)上沉积对光不透明的导电涂层(23)，并且所述腔体(33)被蚀刻穿过所述导电涂层(23)。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·克罗彻瑞，JP·奥杜，S·阿莱格雷特马雷，H·雷宁格，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，意法半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR