SI沟槽中的Ⅲ-N器件制造技术

形成了包括衬底的部分的沟槽。成核层沉积在衬底的位于沟槽内的部分上。Ⅲ‑N材料层沉积在成核层上。Ⅲ‑N材料层横向生长在沟槽之上。器件层沉积在横向生长的Ⅲ‑N材料层上。在横向生长的材料上获得低缺陷密度区域，并且所述低缺陷密度区域用于在Si衬底上的对Ⅲ‑N材料的电子器件制作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480070503

【技术保护点】
一种用于制造电子器件的方法，包括：形成包括衬底的第一部分的沟槽；在所述衬底的位于所述沟槽内的所述第一部分上沉积成核层；以及在所述成核层上沉积Ⅲ‑N材料层，其中，所述Ⅲ‑N材料层横向生长在所述沟槽之上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.23 US 14/162,7171.一种用于制造电子器件的方法，包括：形成包括衬底的第一部分的沟槽；在所述衬底的位于所述沟槽内的所述第一部分上沉积成核层；以及在所述成核层上沉积Ⅲ-N材料层，其中，所述Ⅲ-N材料层横向生长在所述沟槽之上。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在经横向生长的Ⅲ-N材料层上沉积器件层。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述Ⅲ-N材料层包括氮化镓，并且所述衬底包括硅。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽具有绝缘侧壁。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽具有金属侧壁。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述成核层包括氮化铝、多晶Ⅲ-N材料、非晶Ⅲ-N材料、或者它们的任何组合。7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟槽包括：在所述衬底上沉积绝缘层；将所述绝缘层图案化；对经图案化的绝缘层进行蚀刻，以暴露所述衬底的第二部分；在所述衬底的所述第二部分上沉积沟槽层；以及去除所述绝缘层。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：对所述衬底的所述第一部分进行蚀刻，以形成V形沟槽、梯形沟槽、或者圆形沟槽的至少其中之一。9.一种用于制造电子器件的方法，包括：在衬底上形成多个沟槽；在所述沟槽内的所述衬底上沉积成核层；在所述成核层上沉积Ⅲ-N材料层；以及在所述沟槽之上横向生长所述Ⅲ-N材料层。10.根据权利要求9所述的方法，其中，将横向生长在所述沟槽之上的所述Ⅲ-N材料层的部分融合以形成岛。11.根据权利要求9所述的方法，还包括：在经横向生长的Ⅲ-N材料层上沉积器件层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·达斯古普塔，H·W·田，S·K·加德纳，S·H·宋，M·拉多萨夫列维奇，B·舒金，S·R·塔夫脱，R·皮拉里塞泰，R·S·周，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US