【技术实现步骤摘要】
201620065350
【技术保护点】
砷化镓光敏传感器，包括光敏传感器主体，所述光敏传感器主体包括至少一个光敏芯片，所述光敏芯片外设有一封装体，所述光敏芯片包括基底，其特征在于，所述基底是由砷化镓制成的基底；所述光敏芯片包括一光敏面，所述光敏面呈一外凸型曲面；所述光敏面的横截面呈一圆心角为5°～10°的圆弧，所述圆弧的半径为1cm～2cm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：程治国，王良，
申请(专利权)人：上海长翊科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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