一种宽带微纳二维多齿光栅陷波器制造技术

本发明专利技术设计了一种旨在提高硅太阳能薄膜电池光电转化效率的宽带微纳二维多齿光栅陷波器。本发明专利技术的结构是：在硅有源层上面设置有沿两个方向周期变化的光栅，且两个方向上的光栅齿数都为2，它们不均匀的分布在光栅两个方向上。通过调整微纳二维多齿光栅的结构尺寸及光栅齿位置，利用泄露模谐振效应，该器件对横电波（TE波）和横磁波（TM波）入射光具有透射效率高、带宽大及角度谱宽的特点。

【技术实现步骤摘要】
201610215757

【技术保护点】
一种宽带微纳二维多齿光栅陷波器，其特征在于：微纳二维多齿光栅是指在硅有源层上面设置有沿X、Y轴方向周期变化的光栅，且每个周期内光栅齿数为2，光栅层厚度沿Z轴方向，其值为340纳米。

【技术特征摘要】
1.一种宽带微纳二维多齿光栅陷波器，其特征在于：微纳二维多齿光栅是指在硅有源层上面设置有沿X、Y轴方向周期变化的光栅，且每个周期内光栅齿数为2，光栅层厚度沿Z轴方向，其值为340纳米。2.根据权利要求1所述的一种宽带微纳二维多齿光栅陷波器，其特征在于：沿X轴方向光栅周期为1200纳米，每个周期内有两个光栅齿，分别为wx1和wx2，且wx1为130纳米，wx2为54纳米，kx1=306纳米，kx2=710纳米；沿Y轴方向光栅周期...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖文波，马林飞，吴华明，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：江西;36