发光二极管及其制备方法、发光器件技术

一种发光二极管及其制备方法、发光器件。该发光二极管，包括阴极、阳极以及位于所述阴极和所述阳极之间的功能层，所述功能层包括空穴传输层和电子传输层至少之一和发光层，所述空穴传输层和所述电子传输层至少之一包括钙钛矿结构的材料，所述钙钛矿结构的材料通式为ABX3，其中，A为RNH3或Cs，R为CnH2n+1，n≥1；X为Cl、Br或I中的至少一个；B为铅(Pb)、锗(Ge)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、锰(Mn)或锑(Sb)中的至少一个。该发光二极管可降低发光器件的驱动电压，降低发光器件的功耗，提升器件寿命。

【技术实现步骤摘要】
201610395285

【技术保护点】
一种发光二极管，包括阴极、阳极以及位于所述阴极和所述阳极之间的功能层，所述功能层包括空穴传输层和电子传输层至少之一和发光层，所述空穴传输层和所述电子传输层至少之一包括钙钛矿结构的材料，所述钙钛矿结构的材料通式为ABX3，其中，A为RNH3或Cs，R为CnH2n+1，n≥1；X为Cl、Br或I中的至少一个；B为铅(Pb)、锗(Ge)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、锰(Mn)或锑(Sb)中的至少一个。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括阴极、阳极以及位于所述阴极和所述阳极之间的功能层，所述功能层包括空穴传输层和电子传输层至少之一和发光层，所述空穴传输层和所述电子传输层至少之一包括钙钛矿结构的材料，所述钙钛矿结构的材料通式为ABX3，其中，A为RNH3或Cs，R为CnH2n+1，n≥1；X为Cl、Br或I中的至少一个；B为铅(Pb)、锗(Ge)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、锰(Mn)或锑(Sb)中的至少一个。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述空穴传输层和所述电子传输层的材料相同。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述电子传输层位于所述阴极和所述发光层之间，所述发光层和所述电子传输层之间设置有电子阻挡层。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述电子阻挡层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯基咔唑(PVK)中至少之一。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述空穴传输层位于所述阳极和所述发光层之间，所述发光层和所述空穴传输层之间设置有空穴阻挡层。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，所述空穴阻挡层的材料包括N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’–二苯基-1,1’–二苯基-4,4’–二胺(TPD)、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)，聚乙烯基咔唑(PVK)、N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺(NPB)、4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N,N,N’,N’-四芴联苯胺(FFD)、三苯胺四聚体(TPTE)、TFB中至少之一，所述TFB为[9,9’-二辛基芴-共聚-N-(4-丁基苯基)-二苯胺)]m，其中m大于100。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述功能层还包括空穴注入层和电子注入层，所述阳极包括透明导电材料；所述空穴注入层的材料包括聚(3，4-乙撑二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)；所述发光层包括有机发光层或量子点发光层；所述电子注入层材料包括LiF或纳米氧化锌；所述阴极的材料包括Al或Ag。8.根据权利要求1-7任一项所述的发光二极管，其中，所述发光二极
\t管包括有机发光二极管和/或量子点发光二极管。9.一种发光二极管的制备方法，包括形成阴极和阳极，以及形成位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卓，李延钊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11