一种中子源制造技术

本发明专利技术提供了一种中子源，所述中子源采用多孔离子源，引出有特定形状及密度分布的氘离子或氘氚混合离子。每个引出孔都有对应的初始聚焦电极和加速电极，离子束完成加速后，经过电四极场，在Z方向上聚焦至所需要的小尺寸，同时在Y方向上散焦展开到一定长度，形成扇形离子束。扇形离子束轰击到移动靶上，在Y方向上，产生与小尺寸焦斑点状中子源等效的出射中子束。本发明专利技术的中子源适合应用于中子治疗、照相、爆炸物检测等对中子束有方向性和点源特性要求的领域。

【技术实现步骤摘要】
201610397587

【技术保护点】
一种中子源，其特征在于，所述中子源包括多孔离子源（1）、初始聚焦电极（2）、加速电极（3）、四极透镜（5）、移动靶（6），多孔离子源（1）输出的离子束（4），通过初始聚焦电极（2）和加速电极（3）后获得额定能量，然后穿过四极透镜（5），形成扇形离子束，扇形离子束轰击移动靶（6），产生与等效焦斑（7）相同特性的出射方向中子束（8）；所述的移动靶（6）的轰击面为斜面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何小海，李彦，唐君，娄本超，薛小明，牟云峰，李小飞，胡永宏，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51