一种阵列式高密度水中介质阻挡放电废水处理装置制造方法及图纸

一种阵列式高密度水中介质阻挡放电废水处理装置，主要包括有绝缘外壳、绝缘气室A、绝缘气室B、绝缘介质管A、盲孔绝缘介质管、地线、地电极、绝缘介质管B、导电金属管、高压线A、高压线B、高压电源、通气管和气体流量控制计。本发明专利技术采用在大气压下的液相介质阻挡放电技术，产生的液相低温等离子体面积大，密度高，均匀性好；与传统液相等离子体放电装置相比，此装置结构更为精妙，可在液体中形成较长的放电通道，有利于在液体中产生更多的活性物质；可以根据放电需要，对放电面积和形状进行改变，增强了使用的方便性及灵活性；装置安装便捷，稳定性好，能耗少，效率高。

【技术实现步骤摘要】
201610183437

【技术保护点】
一种阵列式高密度水中介质阻挡放电废水处理装置，主要包括有绝缘外壳、绝缘气室A、绝缘气室B、绝缘介质管A、盲孔绝缘介质管、地线、地电极、绝缘介质管B、导电金属管、高压线A、高压线B、高压电源、通气管和气体流量控制计，其特征在于：绝缘外壳为圆柱形壳体，在绝缘外壳的外壁下部设有一个通孔，在绝缘外壳的上表面和下表面分别设有呈阵列式的通孔，绝缘外壳的上表面的通孔和下表面的通孔数量相同，且位置相对应，在绝缘外壳的上表面的上部设有一个绝缘气室A，绝缘外壳的下表面的下部设有一个绝缘气室B，绝缘气室A和绝缘气室B均为圆柱形壳体，绝缘气室A的下表面、绝缘气室A的上表面和绝缘气室B的上表面分别设有呈阵列式的通孔，绝缘气室A下表面的通孔、绝缘气室A的上表面、绝缘气室B上表面的通孔与绝缘外壳上表面的通孔数量相同，且位置分别相对应，在绝缘气室B的下表面设有一个通孔，在绝缘外壳的上表面的每个通孔内分别插接绝缘介质管A，绝缘介质管A的外径与绝缘外壳的上表面的通孔的直径相同，每根绝缘介质管A的上端延伸至绝缘外壳上表面的外部，盲孔绝缘介质管设在绝缘介质管A的内部，盲孔绝缘介质管的上端通过绝缘气室A的上表面的通孔，延伸至绝缘气室A的上表面的外部，盲孔绝缘介质管的外径与绝缘气室A上表面的通孔直径相同，每根盲孔绝缘介质管内部分别插接一根地线，每根地线的一端插接在对应的盲孔绝缘介质管内部，每根地线的另一端相连，并连接地电极，在绝缘外壳的下表面的每个通孔内分别插接绝缘介质管B，绝缘介质管B的外径与绝缘外壳的下表面的通孔的直径相同，每根绝缘介质管B的下端延伸至绝缘外壳的下表面的外部，导电金属管设在绝缘介质管B的内部，导电金属管的外径与绝缘介质管B的内径相同，导电金属管的下端延伸至绝缘介质管B下端的外部，每根导电金属管的下端之间通过高压线A相连，高压线A与高压线B的一端相连，高压线B的另一端与高压电源相连，在绝缘气室A和绝缘气室B的侧壁上均设有一个通孔，绝缘气室A侧壁的通孔与绝缘气室B侧壁的通孔之间通过通气管相连，在通气管的中部设有一个通孔，通气管中部的通孔与气体流量控制计相连。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪义，彭一峰，潘静，刘东平，张敬，
申请(专利权)人：大连民族大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21