用于绝缘体上应变硅晶片上双重隔离的方法和装置制造方法及图纸

描述了一种在包括p型场效应晶体管(pFET)装置和n型场效应晶体管(nFET)装置的双重隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)装置中形成鳍的方法以及具有双重隔离的CMOS装置。所述CMOS装置包括n型场效应晶体管(nFET)区域，所述nFET区域包括由应变硅构成的一个或多个鳍，所述nFET区域中的所述一个或多个鳍形成在绝缘体上。所述CMOS装置还包括p型场效应晶体管(pFET)区域，所述pFET区域包括在外延生长的硅上的、由硅(Si)或硅锗(SiGe)构成的一个或多个鳍，并且所述pFET区域包括浅沟道隔离(STI)填充以使所述pFET区域中的所述一个或多个鳍彼此隔离。

【技术实现步骤摘要】
201610076671

【技术保护点】
一种在包括p型场效应晶体管装置和n型场效应晶体管装置的双重隔离互补金属氧化物半导体装置中形成鳍的方法，所述方法包括：在p型场效应晶体管区域和n型场效应晶体管区域中均形成绝缘体上应变硅层，所述绝缘体上应变硅层包括设置于块状基板上的绝缘体上的应变硅层；仅在所述p型场效应晶体管区域中刻蚀所述应变硅层、所述绝缘体以及所述块状基板的一部分以露出所述块状基板；仅在所述p型场效应晶体管区域中从所述块状基板外延生长硅；仅在所述p型场效应晶体管区域中在所述硅上外延生长额外的半导体材料；在所述p型场效应晶体管区域中由所述块状基板上生长的所述硅的一部分和所述额外的半导体材料形成一个或多个鳍；在所述n型场效应晶体管区域中由所述绝缘体上的所述应变硅层形成一个或多个鳍；以及在所述p型场效应晶体管区域中执行浅沟道隔离填充，以使所述p型场效应晶体管区域中的所述一个或多个鳍彼此隔离。

【技术特征摘要】
2015.02.10 US 14/618,4421.一种在包括p型场效应晶体管装置和n型场效应晶体管装置的双重隔离互补金属氧化物半导体装置中形成鳍的方法，所述方法包括：在p型场效应晶体管区域和n型场效应晶体管区域中均形成绝缘体上应变硅层，所述绝缘体上应变硅层包括设置于块状基板上的绝缘体上的应变硅层；仅在所述p型场效应晶体管区域中刻蚀所述应变硅层、所述绝缘体以及所述块状基板的一部分以露出所述块状基板；仅在所述p型场效应晶体管区域中从所述块状基板外延生长硅；仅在所述p型场效应晶体管区域中在所述硅上外延生长额外的半导体材料；在所述p型场效应晶体管区域中由所述块状基板上生长的所述硅的一部分和所述额外的半导体材料形成一个或多个鳍；在所述n型场效应晶体管区域中由所述绝缘体上的所述应变硅层形成一个或多个鳍；以及在所述p型场效应晶体管区域中执行浅沟道隔离填充，以使所述p型场效应晶体管区域中的所述一个或多个鳍彼此隔离。2.如权利要求1所述的方法，其中所述仅在所述p型场效应晶体管区域中刻蚀所述应变硅层、所述绝缘体以及所述块状基板的所述部分包括使用包括有机电介质层和含硅的抗反射涂层的垫层以及使用仅覆盖所述n型场效应晶体管区域的图案化的光刻胶层。3.如权利要求1所述的方法，其中所述外延生长硅包括控制生长的尺寸以保持所述p型场效应晶体管区域中生长的所述硅处于或低于所述n型场效应晶体管区域中所述绝缘体的高度。4.如权利要求1所述的方法，其中在所述p型场效应晶体管区域中外延生长额外的半导体材料包括控制生长的尺寸以保持所述额外的硅或硅锗与所述n型场效应晶体管区域中所述应变硅层高度相同。5.如权利要求1所述的方法，其中在所述p型场效应晶体管区域中形成所述一个或多个鳍以及在所述n型场效应晶体管区域中形成所述一个或多个鳍包括图案化所述p型场效应晶体管区域中所述额外的半导体材料之上以及所述n型场效应晶体管区域中所述应变硅层之上的硬掩模层上的间隔体材料。6.如权利要求5所述的方法，其中在所述p型场效应晶体管区域中形成所述
\t一个或多个鳍还包括：根据所述间隔体材料的图案，刻蚀所述p型场效应晶体管区...

【专利技术属性】
技术研发人员：BB多里斯，何虹，A卡基菲鲁兹，王俊利，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US