【技术实现步骤摘要】
201610274374
【技术保护点】
从其上具有化学机械抛光后(CMP后)残留物和污染物的微电子器件除去所述CMP后残留物和污染物的方法，所述方法包括使所述微电子器件与清洁组合物接触足够的时间，以从所述微电子器件至少部分地清洁所述CMP后残留物和污染物，其中所述清洁组合物包括至少一种碱性盐、至少一种有机溶剂、至少一种络合剂和水，其中所述清洁组合物基本不含胺和含铵盐。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里·A·巴尼斯，刘俊，张鹏，
申请(专利权)人：安格斯公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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