P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法技术

本发明专利技术提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行P型重掺杂分别形成PMOS器件的源、漏区和体区，同时形成PN结器件；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行P型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将PMOS器件的栅和PN结器件的P区相连。本发明专利技术通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
201610237267

【技术保护点】
一种P型动态阈值晶体管，其特征在于，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的PMOS器件及PN结器件；所述PMOS器件的沟道区为N型本征区、体区为P型重掺杂区；所述PN结器件以所述PMOS器件的沟道区作为N区，以所述PMOS器件的体区作为P区；所述PN结器件的N区与所述PMOS器件的体区连接，所述PN结器件的P区与所述PMOS器件的栅连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，吕凯，罗杰馨，柴展，何伟伟，黄建强，王曦，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31