【技术实现步骤摘要】
201610383582
【技术保护点】
一种N型双面电池的制备方法,其特征在于,包括:S1:对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀,并去除损伤层,使得所述N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层;S2:在炉管中对所述N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层,作为N型双面电池的正面;S3:去除硼硅玻璃,并在所述N型双面电池的正面制作掩膜;S4:在炉管中对所述N型硅片衬底的另一面进行磷扩散形成N+层,作为N型双面电池的背面;S5:去除边结、磷硅玻璃以及所述N型双面电池的正面制作的掩膜;S6:分别在所述N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极,获得N型双面电池。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄纪德,蒋方丹,金浩,
申请(专利权)人:浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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