平坦化层制造技术

一种器件，包括非平坦化塑料基板；在非平坦化的基板上形成的电学和/或光学功能层；在功能层上方形成的平坦化层；在平坦化层上方形成的至少第一导体层和半导体层，其中第一导体层限定用于一个或多个晶体管器件的至少源电极和漏电极电路，而半导体层限定用于所述一个或多个晶体管器件的半导体沟道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480046822

【技术保护点】
一种器件，包括非平坦化的塑料基板；在所述非平坦化的基板上形成的电学和/或光学功能层；在所述功能层上方形成的平坦化层；在所述平坦化层上方形成的至少第一导体层和半导体层，其中所述第一导体层限定用于一个或多个晶体管器件的至少源电极电路和漏电极电路，而半导体层限定用于所述一个或多个晶体管器件的半导体沟道。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.23 GB 1315081.81.一种器件，包括非平坦化的塑料基板；在所述非平坦化的基板上形成的电学和/或光学功能层；在所述功能层上方形成的平坦化层；在所述平坦化层上方形成的至少第一导体层和半导体层，其中所述第一导体层限定用于一个或多个晶体管器件的至少源电极电路和漏电极电路，而半导体层限定用于所述一个或多个晶体管器件的半导体沟道。2.如权利要求1所述的器件，其中对于使所述半导体沟道退化的波长的光，所述功能层显示出比所述基板和所述平坦化层小的透射率。3.如权利要求2所述的器件，其中使所述半导体沟道退化的波长的所述光包括可见光；所述器件还包括在所述基板的与所述功能层相对的另一侧的背光部，用于将可见光透射至位于所述半导体沟道的与背光部相对的一侧且由所述晶体管器件控制的光学介质；以及所述功能层被图案化以使可见光能从背板透射至除了所述半导体沟道之外的区域中的所述光学介质。4.如权利要求3所述的器件，其中所述光学介质是液晶光学介质。5.如权利要求1所述的器件，其中所述功能层包括第二导体层，所述第二导体层在用于所述一个或多个晶体管中每一个的漏电极电路的至少一部分的下面延伸，并且经由平坦化层电容耦接至漏电极电路。6.如权利要求5所述的器件，其中所述第二导体层包括导体岛的阵列，每一个导体岛都在所述第二导体层内连接至所有相邻的导体岛。7.如权利要求6所述的器件，其中每个导体岛在位置上基本与用于相应晶体管的漏电极电路的至少一部分对应。8.如权利要求5所述的器件，其中所述第二导体层由互相连接的导电丝的网格形成。9.如权利要求1所述的器件，其中额外层包括为每个晶体管器件设置栅极的第二导体层。10.如权利要求9所述的器件，其中所述第二导体层被图案化为独立可寻址栅极线的阵列，每个栅极线都在相应列的晶体管的半导体沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·哈丁，M·巴拿赫，
申请(专利权)人：弗莱克因艾伯勒有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB