电阻式随机存取记忆体与其控制方法技术

本发明专利技术公开了一种电阻式随机存取记忆体与其控制方法。上述电阻式随机存取记忆体包括温度感测器以检测电阻式随机存取记忆体的温度。上述控制方法可检测电阻式随机存取记忆体的温度，以及根据此温度设定电阻式随机存取记忆体的感测放大器的参考阻值。上述控制方法也可根据电阻式随机存取记忆体的温度切换操作模式而适应温度变化以提高电阻式随机存取记忆体的可靠度。

【技术实现步骤摘要】
201510031573

【技术保护点】
一种电阻式随机存取记忆体，其特征在于，包括：一电阻式记忆体阵列，包括多个电阻式记忆体元件，上述多个电阻式记忆体元件藉由不同阻态以储存不同数值的数据；一感测放大器，用以根据一参考阻值判断上述多个电阻式记忆体元件的阻态，以输出上述多个电阻式记忆体元件储存的数据；以及一温度感测器，用以检测该电阻式随机存取记忆体的温度。

【技术特征摘要】
2015.01.14 TW 1041012021.一种电阻式随机存取记忆体，其特征在于，包括：一电阻式记忆体阵列，包括多个电阻式记忆体元件，上述多个电阻式记忆体元件藉由不同阻态以储存不同数值的数据；一感测放大器，用以根据一参考阻值判断上述多个电阻式记忆体元件的阻态，以输出上述多个电阻式记忆体元件储存的数据；以及一温度感测器，用以检测该电阻式随机存取记忆体的温度。2.如权利要求1所述的电阻式随机存取记忆体，其特征在于，该电阻式随机存取记忆体耦接一控制器，该控制器根据该温度设定该参考阻值。3.一种电阻式随机存取记忆体控制方法，其特征在于，包括：检测一电阻式随机存取记忆体的温度；以及根据该温度设定该电阻式随机存取记忆体的感测放大器的参考阻值。4.如权利要求3所述的电阻式随机存取记忆体控制方法，其特征在于，还包括：当该电阻式随机存取记忆体的该温度小于一切换温度，则切换至一一般模式，并将该参考阻值设定为对应该一般模式的一第一阻值；以及当该电阻式随机存取记忆体的该温度大于该切换温度，则切换至一高温模式，并将该参考阻值设定为对应该高温模式的一第二阻值，其中该第一阻值大于该第二阻值。5.如权利要求4所述的电阻式随机存取记忆体控制方法，其特征在于，还包括：当该电阻式随机存取记忆体的该温度小于该切换温度的时间已达到一预设时间长度，则切换至该一般模式，并将该参考阻值设定为该第一阻值；以及当该电阻式随机存取记忆体的该温度大于该切换温度的时间已达到该预设时间长度，则切换至该高温模式，并将该参考阻值设定为该第二阻值。6.如权利要求4所述的电阻式随机存取记忆体控制方法，其特征在于，该电阻式随机存取记忆体之中若有阻值大于该第二阻值的任一电阻式记忆体元件发生阻值飘移，则上述阻值飘移之后，该电阻式记忆体元件的该阻值仍然大于该第二阻值。7.如权利要求4所述的电阻式随机存取记忆体控制方法，其特征在于，还包括一非对称性编码，该非对称性编码包括：当有一笔数据将要写入该电阻式随机存取记忆体时，计算该笔数据中的一位元值的数量；若该位元值的该数量大于该笔数据的长度的一半，则翻转该笔数据的每一位元，然后将该笔数据写入该电阻式随机存取记忆体；以及若该位元值的该数量小于该笔数据的长度的一半，则将该笔数据维持原样写入该电阻式随机存取记忆体，其中该位元值在该一般模式等于1，该位元值在该高温模式等于0。8.如权利要求7所述的电阻式随机存取记忆体控制方法，其特征在于，还包括：当自一第一模式切换至一第二模式时，沿用该第一模式的该参考阻值读出该电阻式随机存取记忆体的全部数据，然后依照该第二模式将该全部数据写回该电阻式随机存取记忆体，然后将该参考阻值设定为该第二模式所对应的参考阻值，其中该第一模式为该一般模式和该高温模式其中之一，该第二模式为该一般模式和该高温模式其中之另一。9.如权利要求3所述的电阻式随机存取记忆体控制方法，其特征在于，还包括：当有一笔数据将要写入该电阻式随机存取记忆体时，计算该笔数据中的一位元值的数量；若该位元值的该数量大于该笔数据的长度的一半，则翻转该笔数据的每一位元，然后将该笔数据写入该电阻式随机存取记忆体；以及若该位元值的该数量小于该笔数据的长度的一半，则将该笔数据维持原样写入该电阻式随机存取记忆体。10.如权利要求9所述的电阻式随机存取记忆体控制方法，其特征在于，还包括：若该位元值的该数量大于该笔数据的长度的一半，则设立一旗标位元；以及当自该电阻式随机存取...

【专利技术属性】
技术研发人员：简才淦，邱瀝毅，林璟谦，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71