一种荷正电纳米氧化钇及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种荷正电纳米氧化钇及其制备方法。本发明专利技术一种表面带正电荷的纳米Y2O3，的等电点为8～10，在pH＝7时表面Zeta电位为20～30mV，纳米Y2O3颗粒平均尺寸为20～80nm。本发明专利技术采用醇—水混合物为反应溶剂，利用反应物在两种溶剂中溶解度的不同促使含钇先驱体均匀成核，然后经高温热分解制得具有较强正电性和较高等电点的纳米Y2O3。具体做法是先配制一定比例的醇—水混合物作为溶剂，然后分别加入含钇化合物和沉淀剂，加热反应使其均匀成核得到含钇先驱体，最后将含钇先驱体过滤、洗涤、干燥后，置于管式炉中在氮气气氛保护下经高温热分解，即制得表面荷正电纳米Y2O3。本发明专利技术工艺简单、成本低、适于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
201610444332

【技术保护点】
一种荷正电纳米氧化钇，其特征在于，该纳米氧化钇的等电点为8～10，在pH＝7时表面Zeta电位为20～30mV，纳米氧化钇颗粒平均尺寸为20～80nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓橙，马军，朱孟府，陈平，田涛，张彦军，王济虎，
申请(专利权)人：中国人民解放军军事医学科学院卫生装备研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12