【技术实现步骤摘要】
201610242892
【技术保护点】
一种高压LDMOS器件，在P型衬底中具有N型深阱，在剖视角度上，靠近N型深阱两侧内壁处分别具有第一N型区和第二N型区，所述第二N型区为LDMOS器件的漏区；N型深阱中还具有P阱，P阱与第二N型区之间的衬底表面具有场氧，场氧下方具有P型层；所述P阱中包含有第三N型区作为LDMOS器件的源区，以及将P阱引出的第一P型区；所述P型衬底中还具有引出衬底电极的第二P型区；所述第一N型区作为寄生JFET的源区；其特征在于：场氧下的所述P型层是分为两段，中间间隔开而使两段不连接；N型深阱的底部具有间隔形成两部分，所述间隔是由两段N型深阱之间存在的高阻区域构成，该高阻区域位于两段P型层间隔区的下方，即高阻区域的位置与其上方P型层间隔区位置对应。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王惠惠，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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