【技术实现步骤摘要】
201610188420
【技术保护点】
一种金属微结构的制作方法,其特征在于,包括:S1,在一平整的基片的表面涂覆一层光刻胶,所述基片在外力作用下可发生形变;S2,对所述光刻胶进行曝光、显影,以在所述基片的表面形成光刻胶图形;S3,令所述基片发生形变,以使得所述光刻胶图形随所述基片一同发生形变;S4,在所述基片表面上的非光刻胶图形处,进行金属镀膜;S5,去除所述光刻胶和所述基片,得到金属微结构。
【技术特征摘要】
1.一种金属微结构的制作方法,其特征在于,包括:S1,在一平整的基片的表面涂覆一层光刻胶,所述基片在外力作用下可发生形变;S2,对所述光刻胶进行曝光、显影,以在所述基片的表面形成光刻胶图形;S3,令所述基片发生形变,以使得所述光刻胶图形随所述基片一同发生形变;S4,在所述基片表面上的非光刻胶图形处,进行金属镀膜;S5,去除所述光刻胶和所述基片,得到金属微结构。2.根据权利要求1所述的金属微结构的制作方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述光刻胶的厚度大于0.2mm。3.根据权利要求1所述的金属微结构的制作方法,其特征在于,所述步骤S3中,通过将所述基片按压在具有面形的模具上,以使所述基片发生形变。4.根据权利要求3所述的金属微结构的制作方法,其特征在于,所述基片为非金属网状结构,其中:所述步骤S3中,先在所述基片和所述模具中间放置一层导电层,再将所述基片按压在具有面形的模具上,以使所述导电层与所述基片一同发生形变;所述步骤S4中,在所述导电层...
【专利技术属性】
技术研发人员:张天冲,伊福廷,王波,刘静,张新帅,孙钢杰,王雨婷,
申请(专利权)人:中国科学院高能物理研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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