一种测试设备制造技术

本发明专利技术涉及一种测试设备，包括交流电源电路、相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。本发明专利技术通过改进可控硅电流控制电路，使其结构较为合理，能够有效满足特殊漏电断路器的测试需求。

【技术实现步骤摘要】
201610466422

【技术保护点】
一种测试设备，包括交流电源电路、直流供电电路、相位产生电路、交流漏电调节电路、相位显示电路、指示灯电路和时间检测电路；其特征在于：交流电源电路具有用于构成负载回路的第一火线端和用于构成模拟漏电回路的第二火线端，第一火线端和第二火线端用于与被测设备的火线输入端相连，所述负载回路的零线端用于与被测设备的零线端相连；所述被测设备是A型漏电断路器；相位产生电路用于与被测设备的火线输出端L2相连；相位产生电路包括控制按钮电路、电流滞后电压0º的第一半波整流电路、电流滞后电压90º的第二半波整流电路、电流滞后电压135º的第三半波整流电路、6mA直流生成电路以及可控硅电流控制电路，可控硅电流控制电路根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号在所述模拟漏电回路中分别生成电流滞后电压0º的半波整流电流、电流滞后电压90º的半波整流电流、电流滞后电压135º的半波整流电流和含有6mA直流的电流滞后电压0º的半波整流电流；控制按钮电路用于控制相位产生电路在所述模拟漏电回路中分别生成电流滞后电压0º的半波整流电流、电流滞后电压90º的半波整流电流、电流滞后电压135º的半波整流电流和含有6mA直流的电流滞后电压0º的半波整流电流；所述电流滞后电压135º的第三半波整流电路包括：正弦波整形电路、充电电路、与门、电阻R9、电阻R10、运算放大器IC1B、电阻R11、电位器WR1、三极管BG3、电阻R12、R13、按钮开关SB1、电阻R58、三极管BG18、光耦芯片IC4、电阻R59、双向可控硅BG19、电阻R60和电阻R61；充电电路由电阻R8和电容C5构成，电阻R8和电容C5依次与运算放大器IC1A的输出端相连；与门由二极管D6和D7构成，二极管D6的负极接电阻R8，二极管D6的正极接运算放大器IC1B的正极；二极管D7的负极接运算放大器IC1A的输出端，电阻R9和电阻R10各自的输入端接二极管D7的正极，电阻R9和电阻R10用于设定相对于电流滞后电压135º的整定电压；电阻R11的输入端接电阻R9的输出端，电阻R11的输出端接运算放大器IC1B的反向输入端；电位器WR1的一端接运算放大器IC1B的反向输入端；电阻R11和电位器WR1用来调节运算放大器IC1B的反向输入端的相对于电流滞后电压135º的比较电压；三极管BG3的基极通过电阻R12接运算放大器IC1B的输出端，三极管BG3的发射极接电阻R13的输入端和按钮开关SB1，三极管BG3的集电极接电阻R11的输入端，三极管BG3与电阻R13构成射极跟随器；电位器WR1的调节端和电阻R10的输出端均与电阻R13的输出端相连；电阻R12用作三极管BG3基极的限流电阻；运算放大器IC1B的输出端用于输出电流滞后电压135º的控制信号；电阻R13上的电流滞后电压135º的控制信号通过按钮开关SB1、电阻R58送给三极管BG18，三极管BG18驱动光耦芯片IC4，电阻R59是对光耦芯片IC4进行限流的限流电阻，保证光耦芯片IC4有效工作；光耦芯片IC4用以隔离交流220V与相位产生电路直流部分，控制双向可控硅BG19的导通和关断，电阻R60和电阻R61用于控制双向可控硅BG19的G极输入电流，使输入信号足够触发双向可控硅BG19导通；双向可控硅BG19的A、K二极串联在负载与交流电源之间，流过负载的电流就是滞后于电压135º的半波整流电流；控制双向可控硅BG19即可控制线路中通过规定的剩余脉动电流，调节电位器WR3、WR4和WR5控制漏电流大小；当按钮开关SB10闭合时，按钮开关SB10的两个中间触点用于相位产生电路输出波形的检测；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在所述模拟漏电回路中；所述时间检测电路包括：单片机IC6、与单片机IC6的漏电检测端相连的用于检测所述模拟漏电回路是否导通的漏电信号检测电路、以及与单片机IC6的时间信息输出端相连的用于显示时间的数码管；单片机IC6根据漏电信号检测电路输出的漏电信号测量从所述模拟漏电回路导通至A型漏电断路器脱扣所需的时间并通过所述数码管显示该时间；电阻R73、电阻R77为光耦芯片IC5的限流电阻，电阻R78为单片机IC6的1脚的限流电阻，电容C15、电阻R79组成微分电路，电阻R80‑电阻R87为数码管LED11各管脚的限流电阻，电阻R88‑电阻R91为三极管BG23‑三极管BG26的b极的限流电阻；按钮开关SB17为测试按钮，按钮开关SB18为复位按钮。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小青，
申请(专利权)人：胡小青，
类型：发明
国别省市：浙江;33