高质量纳米线CMOS器件及其制造方法及包括其的电子设备技术

公开了基于高质量外延层的纳米线互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其制造方法及包括其的电子设备。根据实施例，CMOS器件可以包括衬底以及在衬底上形成的p型器件和n型器件。p型器件和n型器件之一可以包括：与衬底相隔开的第一半导体纳米线，其中第一半导体纳米线沿弯曲的纵向延伸方向延伸；至少部分环绕第一半导体纳米线的外周形成的第一半导体层；在衬底上形成的隔离层，隔离层露出第一半导体层；以及在隔离层上形成的与第一半导体层相交的第一栅堆叠。

【技术实现步骤摘要】
201610438633

【技术保护点】
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，包括：衬底；以及在衬底上形成的p型器件和n型器件，其中，p型器件和n型器件之一包括：与衬底相隔开的第一半导体纳米线，其中第一半导体纳米线沿弯曲的纵向延伸方向延伸；至少部分环绕第一半导体纳米线的外周形成的第一半导体层；在衬底上形成的隔离层，隔离层露出第一半导体层；以及在隔离层上形成的与第一半导体层相交的第一栅堆叠。

【技术特征摘要】
1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，包括：衬底；以及在衬底上形成的p型器件和n型器件，其中，p型器件和n型器件之一包括：与衬底相隔开的第一半导体纳米线，其中第一半导体纳米线沿弯曲的纵向延伸方向延伸；至少部分环绕第一半导体纳米线的外周形成的第一半导体层；在衬底上形成的隔离层，隔离层露出第一半导体层；以及在隔离层上形成的与第一半导体层相交的第一栅堆叠。2.根据权利要求1所述的CMOS器件，其中，p型器件和n型器件中另外一个包括：与衬底相隔开的第二半导体纳米线，其中第二半导体纳米线沿弯曲的纵向延伸方向延伸；至少部分环绕第二半导体纳米线的外周形成的第二半导体层，其中隔离层露出第二半导体层；以及在隔离层上形成的与第二半导体层相交的第二栅堆叠。3.根据权利要求2所述的CMOS器件，其中，第一半导体层和第二半导体层包括不同的材料，和/或第一栅堆叠和第二栅堆叠包括不同的配置。4.根据权利要求2所述的CMOS器件，其中，第一半导体纳米线和第二半导体纳米线的纵向延伸方向大致沿同一曲线延伸。5.根据权利要求4所述的CMOS器件，其中，第一半导体纳米线构成C形曲线的一部分，而第二半导体纳米线构成C形曲线的另一部分；或者第一半导体纳米线构成S形曲线的一部分，而第二半导体纳米线构成S形曲线的另一部分。6.根据权利要求2所述的CMOS器件，其中，第一半导体层位于第一半导体纳米线与第一栅堆叠之间，第二半导体层位于第二半导
\t体纳米线与第二栅堆叠之间。7.根据权利要求4所述的CMOS器件，其中，第一半导体纳米线与第二半导体纳米线通过电介质层相隔离，且第一半导体层与第二半导体层通过该电介质层相隔离。8.根据权利要求2所述的CMOS器件，还包括：支撑部，第一半导体纳米线和/或第二半导体纳米线经支撑部而在物理上连接到衬底。9.根据权利要求8所述的CMOS器件，其中，在半导体纳米线的纵向延伸方向上，半导体纳米线与支撑部相连接的部分的延伸范围小于半导体纳米线的纵向延伸长度。10.根据权利要求8所述的CMOS器件，其中，支撑部包括沿衬底表面延伸的横向延伸部分以及沿大致垂直于衬底表面的方向延伸的竖直延伸部分，其中竖直延伸部分延伸至半导体纳米线大致垂直于衬底表面的竖直侧壁上。11.根据权利要求10所述的CMOS器件，其中，支撑部的竖直延伸部分在半导体纳米线的相对两侧的竖直侧壁上延伸，从而夹持半导体纳米线。12.根据权利要求10所述的CMOS器件，其中，在衬底上与半导体纳米线相对应的位置处，衬底具有突起，支撑部的竖直延伸部分中的一部分沿着突起的表面延伸，而另一部分沿着半导体纳米线的竖直侧壁延伸。13.根据权利要求8所述的CMOS器件，其中，支撑部分别设于第一半导体纳米线和第二半导体纳米线各自沿其纵向延伸方向的端部。14.根据权利要求2所述的CMOS器件，其中，第一和第二半导体纳米线包括Si，第一半导体层、第二半导体层包括Ge、SiGe或III-V族化合物半导体。15.一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法，包括：在衬底上形成p型...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11