薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置制造方法及图纸

一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法和显示装置，所述薄膜晶体管包括有源层、非晶硅连接层和源漏电极层。所述有源层具有沟道区、源极区和漏极区，所述沟道区的形成材料包括多晶硅；所述非晶硅连接层位于所述有源层的一侧，并且包括彼此间隔设置的第一连接部和第二连接部；所述源漏电极层包括彼此间隔设置的源极和漏极，所述源极通过所述第一连接部与所述源极区电连接，所述漏极通过所述第二连接部与所述漏极区电连接。本公开可以简化多晶硅薄膜晶体管的制作工艺。

【技术实现步骤摘要】
201610311349

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：有源层，具有沟道区、源极区和漏极区，其中，所述沟道区的形成材料包括多晶硅；非晶硅连接层，位于所述有源层的一侧，并且包括彼此间隔设置的第一连接部和第二连接部；以及源漏电极层，包括彼此间隔设置的源极和漏极，其中，所述源极通过所述第一连接部与所述源极区电连接，所述漏极通过所述第二连接部与所述漏极区电连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：有源层，具有沟道区、源极区和漏极区，其中，所述沟道区的形成材料包括多晶硅；非晶硅连接层，位于所述有源层的一侧，并且包括彼此间隔设置的第一连接部和第二连接部；以及源漏电极层，包括彼此间隔设置的源极和漏极，其中，所述源极通过所述第一连接部与所述源极区电连接，所述漏极通过所述第二连接部与所述漏极区电连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源极区和所述漏极区都为非掺杂区。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述源极区和所述漏极区的形成材料为非掺杂非晶硅或者非掺杂多晶硅。4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述非晶硅连接层包括层叠设置的第一非晶硅层和第二非晶硅层，所述第二非晶硅层设置于所述第一非晶硅层和所述源漏电极层之间，且所述第二非晶硅层的电导率大于所述第一非晶硅层的电导率。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述第一非晶硅层的形成材料为非掺杂非晶硅。6.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管，还包括承载基板，其中，在垂直于所述承载基板的方向上，所述有源层设置于所述承载基板和所述源漏电极层之间。7.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述源漏电极层的材料为金属材料。8.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管，其中，在从所述源极区到所述漏极区的方向上，所述有源层的外边缘之间的距离等于所述第一连接部和所述第二连接部的外边缘之间的距离。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述源极和所述漏极的外边缘之间的距离等于所述第一连接部和所述第二连接部的外边缘之间的距离。10.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述源极和所述漏极的外边缘之间的距离等于所述第一连接部和所述第二连接部的外边缘之间的距离。11.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管，还包括承载基板和栅极，其中，所述栅极设置于所述有源层与所述承载基板之间。12.一种阵列基板，包括多个彼此间隔设置的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为权利要求1至11中任一项所述的薄膜晶体管。13.根据权利要求12所述的阵列基板，还包括多个彼此间隔设置的像素...

【专利技术属性】
技术研发人员：白金超，郭会斌，李升玄，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11