光调制元件制造技术

本发明专利技术提供了包含挠曲电可极化液晶介质的光调制元件，其特征在于从边界状态A至边界状态B的切换包含在施加电场时不同挠曲电切换机制和不同介电切换机制的组合。此外，本发明专利技术涉及这类光调制元件在光电器件(即，LCD显示器件)中的用途和包含根据本发明专利技术的光调制元件的光电器件。此外，本发明专利技术涉及生产根据本发明专利技术的光调制元件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480068773

【技术保护点】
包含挠曲电可极化液晶介质的光调制元件，其特征在于从边界状态A至边界状态B的切换包含在施加电场时挠曲电切换机制和介电切换机制的组合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.19 EP 13005919.91.包含挠曲电可极化液晶介质的光调制元件，其特征在于从边界状态A至边界状态B的切换包含在施加电场时挠曲电切换机制和介电切换机制的组合。2.根据权利要求1的光调制元件，其中夹于至少两个基板之间的液晶介质在该边界状态A中垂面配向于两个基板表面。3.根据权利要求1或2的光调制元件，其中该液晶介质包含弯曲挠曲电系数的绝对值|e3|在1pCm-1至60pCm-1范围内的弯曲核心液晶化合物。4.根据权利要求1至3中一项或多项的光调制元件，其中该液晶介质包含至少一种选自式I的化合物的弯曲核心化合物，R1-M1-Y1-B-Y2-M2-R2 I其中Y1和Y2在每种情况下独立地是-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-CO-NR0-、-NR0-CO-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CH＝CH-COO-、-OOC-CH＝CH-或单键，R0是H或具有1至4个C原子的烷基，M1和M2彼此独立地是介晶基团，B是赋予该化合物弯曲结构的二价环基团，和R1和R2各自且彼此独立地表示H、F、Cl、CN、OCN、SCN、SF5、NO2或具有至多25个C原子的直链或支链烷基基团，其可未被取代、被卤素或CN单-或多取代，一个或多个不相邻的CH2基团也可在每种情况下彼此独立地被-O-、-S-、-NH-、-N(CH3)-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-CH＝CH-或-C≡C-以氧原子彼此不直接连接的方式代替。5.根据权利要求1至4中一项或多项的光调制元件，其中式I的化合物在整个液晶介质中的量是在3％至70％的范围内。6.根据权利要求1至5中一项或多项的光调制元件，其中该液晶介质包含一种或多种式II和III的化合物，其中R21表示具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7个C原子的烯基、烯基氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，在每次出现时彼此独立地表示L21和L22表示H或F，X21表示卤素、具有1至3个C原子的卤化烷基或烷氧基或具有2或3个C原子的卤化烯基或烯基氧基，m表示0、1、2或3，R31表示具有1至7个C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2至7个C原子的烯基、烯基氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，在每次出现时彼此独立地为L31和L32彼此独立地表示H或F，...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·塔芬，R·普罗克特，S·谢米亚诺夫斯基，K·斯科琼尼曼德，O·L·帕里，G·勒克赫斯特，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE