多灵敏区单粒子效应预计的方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及一种多灵敏区单粒子效应预计的方法和系统，其中，多灵敏区单粒子效应预计的方法，包括以下步骤：确定半导体器件各灵敏区的临界电荷值，获取触发半导体器件一次单粒子效应所需的灵敏区的数量；在有效灵敏区的数量等于所需的灵敏区的数量时，确定在半导体器件中触发了一次单粒子效应；有效灵敏区为收集的电荷量大于临界电荷值的灵敏区。本发明专利技术提供了单粒子效应的触发需多个灵敏区的收集电荷均大于其临界电荷的模型，可以从根本上解决传统RPP/IRPP模型无法计算多位翻转的问题，为TMR、DICE、ADE等加固电路提供单粒子效应预计模型，实现抗辐射加固器件在轨单粒子效应的准确预计。

【技术实现步骤摘要】
201610188384

【技术保护点】
一种多灵敏区单粒子效应预计的方法，其特征在于，包括以下步骤：确定半导体器件各灵敏区的临界电荷值；获取触发所述半导体器件一次单粒子效应所需的灵敏区的数量；在有效灵敏区的数量等于所述所需的灵敏区的数量时，确定在所述半导体器件中触发了一次单粒子效应；所述有效灵敏区为收集的电荷量大于所述临界电荷值的灵敏区。

【技术特征摘要】
1.一种多灵敏区单粒子效应预计的方法，其特征在于，包括以下步骤：确定半导体器件各灵敏区的临界电荷值；获取触发所述半导体器件一次单粒子效应所需的灵敏区的数量；在有效灵敏区的数量等于所述所需的灵敏区的数量时，确定在所述半导体器件中触发了一次单粒子效应；所述有效灵敏区为收集的电荷量大于所述临界电荷值的灵敏区。2.根据权利要求1所述的多灵敏区单粒子效应预计的方法，其特征在于，还包括步骤：根据所述单粒子效应的类型或所述半导体器件的类型，确定所述所需的灵敏区的数量；其中，所述单粒子效应的类型包括多位翻转；所述半导体器件的类型包括TMR加固器件和DICE加固器件。3.根据权利要求2所述的多灵敏区单粒子效应预计的方法，其特征在于，根据所述单粒子效应的类型或所述半导体器件的类型，确定所述所需的灵敏区的数量的步骤包括：在所述单粒子效应的类型为多位翻转时，根据所述多位翻转的大小确定所述所需的灵敏区的数量；在所述半导体器件的类型为TMR加固器件时，确定所述所需的灵敏区的数量为两个；在所述半导体器件的类型为DICE加固器件时，确定所述所需的灵敏区的数量为两个。4.根据权利要求1至3任意一项所述的多灵敏区单粒子效应预计的方法，其特征在于，在有效灵敏区的数量等于所述所需的灵敏区的数量时，确定在所述半导体器件中触发了一次单粒子效应的步骤之前还包括步骤：通过对所述半导体器件进行粒子入射，在各所述灵敏区中或附近沉积能量，获得供所述灵敏区进行收集的电荷；所述粒子包括重离子、质子和中子；所述在各所述灵敏区中或附近沉积能量的方式包括以下方式中的任意一项：直接电离或间接电离。5.根据权利要求1至3任意一项所述的多灵敏区单粒子效应预计的方法，
\t其特征在于，确定半导体器件各灵敏区的临界电荷值的步骤之前还包括步骤：根据灵敏区的大小和间距...

【专利技术属性】
技术研发人员：张战刚，雷志锋，恩云飞，黄云，
申请(专利权)人：工业和信息化部电子第五研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44