【技术实现步骤摘要】
201610291498
【技术保护点】
一种应用于服务器备份电池的充放电芯片架构，其特征在于：其结构包括控制芯片和4组MOSFET，其中MOSFET Q1的D极连接电池模组的正极，G极连接控制芯片的UG1端，S极连接MOSFET Q3的D极，并通过一个电阻串联到MOSFET Q2的S极；MOSFET Q3的G极连接控制芯片的LG1端，S极接地；MOSFET Q2的G极连接到控制芯片的UG2端，D极连接于12V总线，S极连接于MOSFET Q4的D极；MOSFET Q4的G极连接于控制芯片的LG2端，S极接地；电池模组的正极通过一条线路连接于控制芯片的FB1端，12V总线通过一条线路连接于控制芯片的FB2端；电池模组放电时，当电池电压高于12V，控制芯片控制MOSFET Q4关断，Q2导通，输出PWM信号到MOSFET Q1与MOSFET Q3组成Buck型降压线路；当电池电压低于11V时，控制芯片控制MOSFET Q1导通，MOSFET Q3关断，输出PWM信号到MOSFET Q2与MOSFET Q4，组成Boost型升压线路；电池模组充电时，当电池电压高于12V，控制芯片控制MOSFET Q2导通，MOSFET Q4关断，...
【技术特征摘要】
1.一种应用于服务器备份电池的充放电芯片架构，其特征在于：其结构包括控制芯片和4组MOSFET，其中MOSFET Q1的D极连接电池模组的正极，G极连接控制芯片的UG1端，S极连接MOSFET Q3的D极，并通过一个电阻串联到MOSFETQ2的S极；MOSFET Q3的G极连接控制芯片的LG1端，S极接地；MOSFET Q2的G极连接到控制芯片的UG2端，D极连接于12V总线，S极连接于MOSFET Q4的D极；MOSFET Q4的G极连接于控制芯片的LG2端，S极接地；电池模组的正极通过一条线路连接于控制芯片的FB1端，12V总线通过一条线路连接于控制芯片的FB2端；电池模组放电时，当电池电压高于12V，控制芯片控制MOSFET Q4关断，Q2导通，输出PWM信号到MOSFET Q1与MOSFET Q3组成Buck型降压线路；当电池电压低于11V时，控制芯片控制MOSFET Q1导通，MOSFET Q3关断，输出PWM信号到MOSFET Q2与MOSFET Q4，组成Boost型升压线路；电池模组充电时，当电池电压高于12V，控制芯片控制MOSFET Q2导通，MOSFET Q4关断，输出PWM信号到MOSFET Q1与MOSFET Q3，组成BOOST升压线路；当电池电压低于12V，控制芯片控制MOSFET Q1导通，MOSF...
【专利技术属性】
技术研发人员：王武军，
申请(专利权)人：浪潮电子信息产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。