【技术实现步骤摘要】
201620259382
【技术保护点】
一种低电容硅像素探测器，其特征在于，探测器的像素单元电极包括中心部、若干连接部及若干外围部，中心部通过连接部连接外围部，连接部与外围部沿圆周均布在中心部外围，中心部、连接部与外围部形成探测器像素单元电极，且像素单元电极的有效面积小于像素单元的上表面积；所述中心部为圆形，连接部为杆形，外围部为以中心部为圆心的圆弧形，外围部两端也为圆弧形。
【技术特征摘要】
1.一种低电容硅像素探测器，其特征在于，探测器的像素单元电
极包括中心部、若干连接部及若干外围部，中心部通过连接部连接外
围部，连接部与外围部沿圆周均布在中心部外围，中心部、连接部与
外围部形成探测器像素单元电极，且像素单元电极的有效面积小于像
素单元的上表面积；
所述中心部为圆形，连接部为杆形，外围部为以中心部为圆心的
圆弧形，外围部两端也为圆弧形。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李正，熊波，李玉云，刘曼文，冯明富，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：新型
国别省市：湖南;43
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