应用于无线充电控制芯片的可调精确过温保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种应用于无线充电控制芯片的可调精确过温保护电路，其包括一运算放大器OP、一NMOS管N0、第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、电阻Ra、电阻Rb、第一传输门、第二传输门、第一NPN三极管Q0、第二NPN三极管Q1、一比较器COMP、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、以及一个可调电阻电路。本实用新型专利技术通过采用负温度系数器件的电压与不受工艺、温度变化影响的电压比较，输出过温信号，可减少温度系数依赖器件，即降低温度影响因素及工艺的影响；通过调整可调电阻电路，实现更精确调整热关断温度。

【技术实现步骤摘要】
201620239158

【技术保护点】
应用于无线充电控制芯片的可调精确过温保护电路，其特征在于：包括一运算放大器OP、一NMOS管N0、第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、电阻Ra、电阻Rb、第一传输门、第二传输门、第一NPN三极管Q0、第二NPN三极管Q1、一比较器COMP、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器以及一个可调电阻电路；运算放大器OP的正输入端连接基准电压Vref，运算放大器OP的负输入端与所述NMOS管N0的源极及所述电阻Ra的输入端连接；运算放大器OP的输出端连接NMOS管N0的栅极；NMOS管N0的漏极与第一PMOS管P0的漏极及栅极连接；第一PMOS管P0的栅极分别与第二PMOS管P1的栅极及第三PMOS管P2的栅极连接；第一PMOS管P0的源极与电源电压VDD、第二PMOS管P1的源极及第三PMOS管P2的源极连接；电阻Ra的输入端与运算放大器OP的负输入端及NMOS管N0的源极连接，电阻Ra的输出端与电阻Rb的输出端及第二NPN三极管Q1的发射极连接，并接地；第二PMOS管P1的栅极与第一PMOS管P0的漏极及栅极及第三PMOS管P2的栅极连接；第二PMOS管P1的源极与电源电压VDD、第一PMOS管P0的源极及第三PMOS管P2的源极连接；第二PMOS管P1的漏极与所述可调电阻电路的输入端连接，所述可调电阻电路的输出端与电阻Rb的输入端连接，所述电阻Rb的输出端与电阻Ra的输出端及第二NPN三极管Q1的发射极连接，并接地，第三PMOS管P2的栅极与第一PMOS管P0的漏极及栅极及第二PMOS管P1的栅极连接；第三PMOS管P2的源极与电源电压VDD、第一PMOS管P0的源极及第二PMOS管P1的源极连接；第三PMOS管P2的漏极与比较器COMP的负输入端Vinn及第一NPN三极管Q0的发射极连接，所述第一NPN三极管Q0的集电极和基极与第二NPN三极管Q1 的发射极连接，所述第二NPN三极管Q1的集电极和基极与电阻Ra的输出端及电阻Rb的输出端连接，并接地；所述第一传输门的输入端与第二PMOS管P1的漏极及所述可调电阻电路的输入端连接，连接点为c；所述第一传输门的输出端与第二传输门的输出端及比较器COMP的正输入端Vinp连接；所述第一传输门的NMOS控制端C1与第一反相器的输入端、第三反相器的输出端、第四反相器的输入端及第二传输门的PMOS控制端连接；所述第一传输门的PMOS控制端与第二传输门的NMOS控制端C1及第一反相器的输出端连接；所述第二传输门的输入端与所述可调电阻电路的输出端及电阻Rb的输入端连接，连接点为d；所述第二传输门的输出端与第一传输门的输出端及比较器COMP的正输入端Vinp连接；所述第二传输门的NMOS控制端C1与第一传输门的PMOS控制端及第一反相器的输出端连接；所述第二传输门的PMOS控制端与第一传输门的NMOS控制端C1、第一反相器的输入端、第三反相器的输出端及第四反相器的输入端连接；所述比较器COMP的输出端与第二反相器的输入端连接，所述第二反相器的输出端与第三反相器的输入端连接；第三反相器的输出端与第四反相器的输入端连接；第四反相器的输出端输出TSD。...

【技术特征摘要】
1.应用于无线充电控制芯片的可调精确过温保护电路，其特征在于：包括一运算放大器OP、一NMOS管N0、第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、电阻Ra、电阻Rb、第一传输门、第二传输门、第一NPN三极管Q0、第二NPN三极管Q1、一比较器COMP、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器以及一个可调电阻电路；
运算放大器OP的正输入端连接基准电压Vref，运算放大器OP的负输入端与所述NMOS管N0的源极及所述电阻Ra的输入端连接；运算放大器OP的输出端连接NMOS管N0的栅极；NMOS管N0的漏极与第一PMOS管P0的漏极及栅极连接；第一PMOS管P0的栅极分别与第二PMOS管P1的栅极及第三PMOS管P2的栅极连接；第一PMOS管P0的源极与电源电压VDD、第二PMOS管P1的源极及第三PMOS管P2的源极连接；电阻Ra的输入端与运算放大器OP的负输入端及NMOS管N0的源极连接，电阻Ra的输出端与电阻Rb的输出端及第二NPN三极管Q1的发射极连接，并接地；第二PMOS管P1的栅极与第一PMOS管P0的漏极及栅极及第三PMOS管P2的栅极连接；第二PMOS管P1的源极与电源电压VDD、第一PMOS管P0的源极及第三PMOS管P2的源极连接；第二PMOS管P1的漏极与所述可调电阻电路的输入端连接，所述可调电阻电路的输出端与电阻Rb的输入端连接，所述电阻Rb的输出端与电阻Ra的输出端及第二NPN三极管Q1的发射极连接，并接地，第三PMOS管P2的栅极与第一PMOS管P0的漏极及栅极及第二PMOS管P1的栅极连接；第三PMOS管P2的源极与电源电压VDD、第一PMOS管P0的源极及第二PMOS管P1的源极连接；第三PMOS管P2的漏极与比较器COMP的负输入端Vinn及第一NPN三极管Q0的发射极连接，所述第一NPN三极管Q0的集电极和基极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞聪，林桂江，廖建平，杨凤炳，刘玉山，任连峰，沈滨旭，
申请(专利权)人：厦门新页微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35