一种圆形芯片的加工方法技术

本发明专利技术涉及半导体晶圆芯片的加工方法技术领域，尤其是涉及MEMS圆形芯片的划片技术领域，具体公开了一种圆形芯片的加工方法，晶圆上制备贯通孔得到圆形芯片，芯片之间仅通过带小凹槽的支撑梁连接，芯片的分离仅需切断支撑梁，划片难度低，能够采用常用的砂轮切割，具有工艺简单、低成本、高效率的优点，所得分离后芯片的外观好、成品率高、机械强度高。

【技术实现步骤摘要】
201610357779

【技术保护点】
一种圆形芯片的加工方法，其特征在于，包括：在晶圆上蚀刻贯通孔（3）形成相邻的圆形芯片间保留有连接部的圆形芯片，再沿所述晶圆上划片道（4）划片，将所述连接部断开，得到分离的圆形芯片。

【技术特征摘要】
1.一种圆形芯片的加工方法，其特征在于，包括：在晶圆上蚀刻贯通孔（3）形成相邻的圆形芯片间保留有连接部的圆形芯片，再沿所述晶圆上划片道（4）划片，将所述连接部断开，得到分离的圆形芯片。2.根据权利要求１所述的一种圆形芯片的加工方法，其特征在于，所述连接部为支撑梁（7），连接其两侧圆形芯片，并在晶圆内对圆形芯片起支撑固定作用。3.根据权利要求2所述的一种圆形芯片的加工方法，其特征在于，蚀刻贯通孔（3）之前，所述支撑梁（7）在晶圆正面一侧预蚀刻有两个对称分布且平行于划片道（4）的小凹槽（6）。4.根据权利要求2或3所述的一种圆形芯片的加工方法，其特征在于，蚀刻贯通孔（3）之前，先在晶圆的背面沿划片道（4）制备切割槽（5）；所述切割槽（5）位于所述支撑梁（7）的正下方。5.根据权利要求4所述的一种圆形芯片的加工方法，其特征在于，所述切割槽（5）采用RIE刻蚀工艺或硅湿法腐蚀工艺制备；所述贯通孔（3）采用DRIE刻蚀工艺制备；所述贯通孔（3）刻蚀前，通过临时键合工艺或有机物...

【专利技术属性】
技术研发人员：任霄峰，胥超，何洪涛，徐永青，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13