一种氧化物晶体管的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化物晶体管的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅极层；在栅极层上形成二氧化硅层；在二氧化硅层上溅射氧化铟锡膜；涂正性光刻胶在氧化铟锡膜上光刻和刻蚀；剥离正性光刻胶；涂负性光刻胶在衬底背面曝光；在氧化铟锡膜上显影；剥离负性光刻胶；在氧化铟锡膜上同时溅射氧化物晶体管薄膜和缓冲膜；涂正性光刻胶在氧化物晶体管薄膜和缓冲膜上显影；在氧化物晶体管薄膜和缓冲膜上刻蚀；剥离正性光刻胶；对接触过孔光刻和刻蚀；在源极层和漏极层上形成金属电极。本发明专利技术栅极层和源极层间的电场、栅极层和漏极层间的电场不受氧化物晶体管薄膜的影响，栅极层和源极层间的电容、栅极层和漏极层间的电容的偏差大问题得到解决。

【技术实现步骤摘要】
201510024459

【技术保护点】
一种氧化物晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在衬底上形成栅极层；步骤2，在所述栅极层上形成二氧化硅层；步骤3，在所述二氧化硅层的上方溅射氧化铟锡膜；步骤4，涂抹正性光刻胶，并在所述氧化铟锡膜上进行光刻；步骤5，在所述氧化铟锡膜上进行刻蚀；步骤6，剥离正性光刻胶；步骤7，涂抹负性光刻胶，并在所述衬底的背面进行曝光；步骤8，在所述氧化铟锡膜上显影；步骤9，剥离负性光刻胶；步骤10，在所述氧化铟锡膜上同时溅射氧化物晶体管薄膜和缓冲膜；步骤11，涂抹正性光刻胶，并在所述氧化物晶体管薄膜和所述缓冲膜上显影；步骤12，在所述氧化物晶体管薄膜和所述缓冲膜上进行刻蚀；步骤13，剥离正性光刻胶；步骤14，对接触过孔进行光刻和刻蚀；步骤15，在源极层和漏极层上形成金属电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李昌熙，
申请(专利权)人：上海善星实业有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31