一种去除 SiC 衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法技术

本发明专利技术涉及一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，包括步骤如下：(1)将SiC衬底外延石墨烯晶片连接金属铟，作为工作电极；以饱和甘汞电极或银/氯化银电极作为参比电极，铂电极作为对电极，以KOH溶液作为刻蚀液；将工作电极、参比电极和对电极置于刻蚀液中，组装得到三电极体系；(2)用紫外灯光照射三电极体系，控制电解电流密度1.0‑2.0mA/cm2，对SiC衬底外延石墨烯缓晶片进行光电化学刻蚀，即可去除缓冲层。本发明专利技术方法通过优化工艺参数，缓冲层可完全去除，获得表面均匀的石墨烯材料。

【技术实现步骤摘要】
201610144265

【技术保护点】
一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，包括步骤如下：(1)将SiC衬底外延石墨烯晶片连接金属铟，作为工作电极；以饱和甘汞电极或银/氯化银电极作为参比电极，铂电极作为对电极，以KOH溶液作为刻蚀液；将工作电极、参比电极和对电极置于刻蚀液中，组装得到三电极体系；(2)用紫外灯光照射三电极体系，控制电解电流密度1.0‑2.0mA/cm2，对SiC衬底外延石墨烯缓晶片进行光电化学刻蚀，即可去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层。

【技术特征摘要】
1.一种去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，包括步骤如下：(1)将SiC衬底外延石墨烯晶片连接金属铟，作为工作电极；以饱和甘汞电极或银/氯化银电极作为参比电极，铂电极作为对电极，以KOH溶液作为刻蚀液；将工作电极、参比电极和对电极置于刻蚀液中，组装得到三电极体系；(2)用紫外灯光照射三电极体系，控制电解电流密度1.0-2.0mA/cm2，对SiC衬底外延石墨烯缓晶片进行光电化学刻蚀，即可去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层。2.根据权利要求1所述的去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的SiC衬底外延石墨烯晶片中石墨烯的覆盖率≥90％，层数为1层，并伴有缓冲层。3.根据权利要求1所述的去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的SiC衬底为4H/6H-SiC衬底。4.根据权利要求1所述的去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层的光电化学刻蚀方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的SiC衬底外延石墨烯晶片是将SiC衬底在单晶生长炉中生长得到；优选的，生长温度为1650～1700℃。5.根据权利要求1所述的去除Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈秀芳，孙丽，徐现刚，赵显，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37