刻蚀监测方法技术

一种刻蚀监测方法，包括：形成基底，基底内包括导电材料层，导电材料层表面的宽度与导电材料层的厚度相关；测量第一测量尺寸；刻蚀浮栅层和导电材料层并获得第一刻蚀速率以及第二刻蚀速率；测量第二测量尺寸；根据第一测量尺寸和第二测量尺寸获得导电材料层的刻蚀量；根据导电材料层的刻蚀量获得浮栅层的刻蚀量。本发明专利技术技术方案中，在形成浮栅的刻蚀过程中，导电材料层同时受到刻蚀，所以根据导电材料层刻蚀量所获得的浮栅层的刻蚀量更精确，有效的提高了对形成浮栅刻蚀过程的监测精度，提高了所形成浮栅的质量，提高了产品制造的良品率。

【技术实现步骤摘要】
201610165192

【技术保护点】
一种刻蚀监测方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括衬底，所述衬底表面具有浮栅层，所述浮栅层内具有底部露出所述衬底的第一开口，所述浮栅层上具有侧墙，所述侧墙覆盖所述第一开口两侧的部分所述浮栅层，所述基底还包括位于所述侧墙之间的导电材料层，所述导电材料层表面的宽度与所述导电材料层的厚度相关；测量所述导电材料层表面的宽度，作为所述导电材料层的第一测量尺寸；刻蚀所述浮栅层和所述导电材料层，以去除未被所述侧墙覆盖的部分浮栅层，获得所述导电材料层的第一刻蚀速率以及所述浮栅层的第二刻蚀速率；测量经刻蚀的所述导电材料层表面的宽度，作为所述导电材料层第二测量尺寸；根据所述第一测量尺寸和所述第二测量尺寸，以及所述导电材料层表面宽度与所述导电材料层厚度的关系，获得所述导电材料层的刻蚀量；根据所述导电材料层的刻蚀量，结合所述第一刻蚀速率和所述第二刻蚀速率，获得所述浮栅层的刻蚀量。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀监测方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括衬底，所述衬底表面具有浮栅层，所述浮栅层内具有底部露出所述衬底的第一开口，所述浮栅层上具有侧墙，所述侧墙覆盖所述第一开口两侧的部分所述浮栅层，所述基底还包括位于所述侧墙之间的导电材料层，所述导电材料层表面的宽度与所述导电材料层的厚度相关；测量所述导电材料层表面的宽度，作为所述导电材料层的第一测量尺寸；刻蚀所述浮栅层和所述导电材料层，以去除未被所述侧墙覆盖的部分浮栅层，获得所述导电材料层的第一刻蚀速率以及所述浮栅层的第二刻蚀速率；测量经刻蚀的所述导电材料层表面的宽度，作为所述导电材料层第二测量尺寸；根据所述第一测量尺寸和所述第二测量尺寸，以及所述导电材料层表面宽度与所述导电材料层厚度的关系，获得所述导电材料层的刻蚀量；根据所述导电材料层的刻蚀量，结合所述第一刻蚀速率和所述第二刻蚀速率，获得所述浮栅层的刻蚀量。2.如权利要求1所述的刻蚀监测方法，其特征在于，所述导电材料层与所述浮栅层的材料相同。3.如权利要求2所述的刻蚀监测方法，其特征在于，所述导电材料层和所述浮栅层均为多晶硅。4.如权利要求1所述的刻蚀监测方法，其特征在于，形成基底的步骤中，所述导电材料层表面宽度随着所述导电材料层厚度的增加而增大。5.如权利要求4所述的刻蚀监测方法，其特征在于，形成基底的步骤中，所述导电材料层表面宽度随着所述导电材料层厚度的增加而线性增大；所述导电材料层表面宽度变化量的一半与所述导电材料层厚度变化量的比值为第一常数；获得所述导电材料层的刻蚀量的步骤包括：所述导电材料层的刻蚀量等于所述第一测量尺寸与所述第二测量尺寸差值的一半与所述第一常数的乘积。6.如权利要求1所述的刻蚀监测方法，其特征在于，刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏步春，曹子贵，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31