【技术实现步骤摘要】
201510013448
【技术保护点】
一种芯片结构,包括:芯片;第一金属层,配置于该芯片上,该第一金属层的材料包括镍或镍合金;第二金属层,配置于该第一金属层上,该第二金属层的材料包括铜或铜合金;以及焊线,连接于该第二金属层,该焊线的材料包括铜或铜合金。
【技术特征摘要】
2014.12.08 TW 1031425901.一种芯片结构,包括:芯片;第一金属层,配置于该芯片上,该第一金属层的材料包括镍或镍合金;第二金属层,配置于该第一金属层上,该第二金属层的材料包括铜或铜合金;以及焊线,连接于该第二金属层,该焊线的材料包括铜或铜合金。2.如权利要求1所述的芯片结构,其中该焊线的线径大于102微米。3.如权利要求1所述的芯片结构,其中该焊线通过楔型焊制作工艺而连接于该第二金属层。4.如权利要求1所述的芯片结构,还包含接垫,配置于该芯片与该第一金属层之间,该接垫的材料包括铝或铝合金或铜或铜合金。5.如权利要求1所述的芯片结构,其中该芯片为功率半导体。6.一种芯片结构,包括:芯片;第一金属层,配置于该芯片上,该第一金属层的材料包括镍或镍合金;第二金属层,配置于该第一金属层上,该第二金属层的材料包括铝或铝合金;以及焊线,连接于该第二金属层,该焊线的材料包括铜或铜合金。7.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:林育民,林柏丞,张景尧,
申请(专利权)人:财团法人工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。