一种宽光谱晶体硅太阳能电池结构制造技术

本发明专利技术公开了一种宽光谱晶体硅太阳能电池结构，由上至下依次包括正面电极、正面减反射膜及钝化膜、晶体硅片、背面减反射膜/钝化膜及背面电极，正面电极与正面减反射膜及钝化膜之间设置有下转换材料薄膜和/或背面减反射膜/钝化膜与背面电极之间设置有上转换材料薄膜。本发明专利技术通过上转换材料薄膜或/和下转换材料薄膜使晶硅电池无法利用的部分红外光与紫外光分别发生蓝移和红移，扩大了晶体硅太阳能电池的光谱利用范围，使晶硅电池的转换效率大幅提升、生产成本显著降低。

【技术实现步骤摘要】
201610237662

【技术保护点】
一种宽光谱晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，包括电池正面、晶体硅片(4)及电池背面；电池正面和/或电池背面设置有转换材料薄膜，其中，当转换材料薄膜设置在电池正面时，电池正面设置下转换材料薄膜(1)，下转换材料薄膜(1)设置在正面电极与正面减反射膜及钝化膜(2)之间；当转换材料薄膜设置在电池背面时，电池背面设置上转换材料薄膜(7)，上转换材料薄膜(7)设置在背面减反射膜/钝化膜(6)与背面电极之间。

【技术特征摘要】
1.一种宽光谱晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，包括电池正面、晶体硅片(4)及电池背面；电池正面和/或电池背面设置有转换材料薄膜，其中，当转换材料薄膜设置在电池正面时，电池正面设置下转换材料薄膜(1)，下转换材料薄膜(1)设置在正面电极与正面减反射膜及钝化膜(2)之间；当转换材料薄膜设置在电池背面时，电池背面设置上转换材料薄膜(7)，上转换材料薄膜(7)设置在背面减反射膜/钝化膜(6)与背面电极之间。2.根据权利要求1所述的一种宽光谱晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，所述的晶体硅片(4)为P型或者N型的单晶硅片、P型或者N型的多晶硅片。3.根据权利要求1所述的一种宽光谱晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，下转换材料薄膜(1)与上转换材料薄膜(7)的材料为不同的稀土或过渡金属掺杂卤化物、氧化物或硫化物。4.根据权利要求1所述的一种宽光谱晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，下转换材料薄膜(1)与上转换材料薄膜(7)厚度为50～1000nm。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵科雄，李华，
申请(专利权)人：乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61