电子元器件用保护膜制造技术

本发明专利技术公开了一种电子元器件用保护膜，属于电子元器件领域，由乙烯‑丙烯酸共聚物、硅烷偶联剂、天然植物胶、草木灰、低品位氧化锌矿、硬脂酸、沸石粉和脂肪酸聚乙二醇酯组成；本发明专利技术制得的厚度为10‑100μm的薄膜或者厚度为30‑100μm的涂覆膜，以200℃×1小时进行处理后的30℃下的拉伸强度达到51MPa以上、伸长率为在5％以下，具有优异的机械性能，可以作为自支撑膜或者复合膜的基膜；其表面电阻值为1×106Ω≤Rs＜1×109Ω，非接触防静电电压值达到12kv以上，具有优异的防静电性能，同时，具有优异的耐酸碱耐高温低温性能。

【技术实现步骤摘要】
201610435290

【技术保护点】
一种电子元器件用保护膜，其特征在于，由下述重量百分比计的组分组成：乙烯‑丙烯酸共聚物    35‑45%硅烷偶联剂           3‑5%天然植物胶           15‑25%草木灰               2‑5%低品位氧化锌矿       15‑20%硬脂酸               3‑5%沸石粉               2‑5%脂肪酸聚乙二醇酯     1‑3%；上述组分总计为100%。

【技术特征摘要】
1.一种电子元器件用保护膜，其特征在于，由下述重量百分比计的组分组成：乙烯-丙烯酸共聚物 35-45%硅烷偶联剂 3-5%天然植物胶 15-25%草木灰 2-5%低品位氧化锌矿 15-20%硬脂酸 3-5%沸石粉 2-5%...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：赵月，
类型：发明
国别省市：四川;51