【技术实现步骤摘要】
201610218452
【技术保护点】
一种栅缝地同轴馈电金属过孔阶跃阻抗的半槽天线，其特征在于该天线包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4)；介质基板(1)的一面是金属地(2)，同轴馈线(4)的外导体(5)与金属地(2)相贴连接；金属地(2)上有辐射槽缝(3)，辐射槽缝(3)的形状是矩形，辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心；金属地(2)上多条平行栅缝(6)构成的栅缝(6)阵列，栅缝(6)的形状是矩形，栅缝位于辐射槽缝(3)的四周，栅缝(6)与辐射槽缝(3)相互垂直；栅缝(6)的一端短路；栅缝(6)的另一端开路，位于介质基板(1)的边缘；辐射槽缝(3)的一端短路，另一端开路；在辐射槽缝(3)靠近开路端的部分，其槽缝的两个边缘，有两排金属化过孔(7)阵列，使得辐射槽缝(3)靠近开路端的部分的特性阻抗变低，形成低阻槽缝(8)；辐射槽缝(3)的其余部分是高阻槽缝(9)，高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)一起构成阶跃阻抗辐射槽缝(3)，产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带；金属化过孔(7)穿越介质基板(1)，一头与金属地(2)相连，另一头在介质基板(1)的另一面；同...
【技术特征摘要】
1.一种栅缝地同轴馈电金属过孔阶跃阻抗的半槽天线，其特征在于该天线包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4)；介质基板(1)的一面是金属地(2)，同轴馈线(4)的外导体(5)与金属地(2)相贴连接；金属地(2)上有辐射槽缝(3)，辐射槽缝(3)的形状是矩形，辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心；金属地(2)上多条平行栅缝(6)构成的栅缝(6)阵列，栅缝(6)的形状是矩形，栅缝位于辐射槽缝(3)的四周，栅缝(6)与辐射槽缝(3)相互垂直；栅缝(6)的一端短路；栅缝(6)的另一端开路，位于介质基板(1)的边缘；辐射槽缝(3)的一端短路，另一端开路；在辐射槽缝(3)靠近开路端的部分，其槽缝的两个边缘，有两排金属化过孔(7)阵列，使得辐射槽缝(3)靠近开路端的部分的特性阻抗变低，形成低阻槽缝(8)；辐射槽缝(3)的其余部分是高阻槽缝(9)，高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)一起构成阶跃阻抗辐射槽缝(3)，产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带；金属化过孔(7)穿越介质基板(1)，一头与金属地(2)相连，另一头在介质基板(1)的另一面；同轴馈线(4)的一端是天线的端口(10)，同轴馈线(4)另一端的内导体(12)跨过高阻槽缝(9)，在高阻槽缝(9)的边缘(11)，与金属地(2)连接。2.根据权利要求1所述的一种栅缝地同轴馈电金属过孔阶跃阻抗的半槽天线，其特征在于改变介质基...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。