【技术实现步骤摘要】
201610218778
【技术保护点】
一种金属过孔阶跃阻抗的半槽天线,其特征在于该天线包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4);介质基板(1)的一面是金属地(2),介质基板(1)的另一面是微带馈线(4)的导带(5);金属地(2)上有辐射槽缝(3),辐射槽缝(3)的形状是矩形,辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心;辐射槽缝(3)的一端短路,另一端(6)开路;在辐射槽缝(3)靠近开路端的部分,其槽缝的两个边缘,有两排金属化过孔(7)阵列,使得辐射槽缝(3)靠近开路端的部分的特性阻抗变低,形成低阻槽缝(8);辐射槽缝(3)的其余部分是高阻槽缝(9),高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)一起构成阶跃阻抗辐射槽缝(3),产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带;金属化过孔(7)穿越介质基板(1),一头与金属地(2)相连,另一头在介质基板(1)的另一面;金属地(2)也是所述的微带馈线(4)的接地面,微带馈线(4)的一端是天线的端口(10),微带馈线(4)的导带(5)的另一端跨过高阻槽缝(9)并伸展一段长度至终端,微带馈线(4)的终端开路;微带馈线的导带(5)有两部分构成,第一 ...
【技术特征摘要】
1.一种金属过孔阶跃阻抗的半槽天线,其特征在于该天线包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4);介质基板(1)的一面是金属地(2),介质基板(1)的另一面是微带馈线(4)的导带(5);金属地(2)上有辐射槽缝(3),辐射槽缝(3)的形状是矩形,辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心;辐射槽缝(3)的一端短路,另一端(6)开路;在辐射槽缝(3)靠近开路端的部分,其槽缝的两个边缘,有两排金属化过孔(7)阵列,使得辐射槽缝(3)靠近开路端的部分的特性阻抗变低,形成低阻槽缝(8);辐射槽缝(3)的其余部分是高阻槽缝(9),高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)一起构成阶跃阻抗辐射槽缝(3),产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带;金属化过孔(7)穿越介质基板(1),一头与金属地(2)相连,另一头在介质基板(1)的另一面;金属地(2)也是所述的微带馈线(4)的接地面,微带馈线(4)的一端是天线的端口(10),微带馈线(4)的导带(5)的另一端跨过高阻槽缝(9)并伸展一段长度至终端,微带馈线(4)的终端开路;微带馈线的导带(5)有两部分构成,第一部分导带(11)是从天线的端口(10)到其刚刚跨越高阻槽缝(9)的位置,微带馈线的导带的其余部分为第二部分导带(12)。2.根据权利要求1所述的一种金属过孔阶...
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