【技术实现步骤摘要】
201610077423
【技术保护点】
一种蚀刻方法，其特征在于，通过将具有硅和硅锗的被处理基板配置于腔室内，将蚀刻气体的气体体系设为F2气体和NH3气体，并改变F2气体与NH3气体的比率，从而进行相对于硅选择性蚀刻硅锗、以及相对于硅锗选择性蚀刻硅。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥信博，松本雅至，萩原彩乃，竹谷考司，松永淳一郞，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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