浮栅式GaAs阴极真空三极管制造技术
【技术实现步骤摘要】
浮栅式GaAs阴极真空三极管
本专利技术属于半导体
，特别是一种浮栅式GaAs阴极真空三极管。
技术介绍
现有的GaAs阴极真空二极管的结构由上而下分别是玻璃基底、Si3N4增透层、Ga1-xAlxAs窗口层和GaAs发射层。具体实现过程为：在GaAs衬底上用液相外延法生产GaAlAs阻挡层/GaAs发射层/GaAlAs窗口层的多层结构；然后在GaAlAs上用半导体钝化工艺沉积厚度为0.1μm的Si3N4增透膜，再在其上沉积一层SiO2，用来防止与玻璃粘接时破坏SiN4并阻止有害元素进入Ga1-xAlxAs窗口层/GaAs发射层；将上述结构与Corning7056#玻璃粘接在一起；最后用选择性腐蚀的方法除去GaAs衬底和GaAlAs阻挡层，制成四层结构的透射式GaAs光电阴极组件。该真空管接入电路中时，必须外加电压，电子才能获得足够的能量越过真空，从阴极发射到阳极，从而产生电流，形成一定的电压。但是，外加电压的存在使得二极管本身产生的电压难以被有效获取，因为相对外加电压而言，产生的电压数值很小。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种浮栅式GaAs阴极真空三极管。实现本专利技术目的的技术方案为：一种浮栅式GaAs阴极真空三极管，由光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金和陶瓷管组成，所述光电阴极组件与第一可伐合金通过铟封材料连接，第一可伐合金通过陶瓷管与第二可伐合金相连，三极管内部为真空，第一可伐合金作为光电阴极组件的管脚，第二可伐合金作为三极管收集电子的阳极以及管脚，所述光电阴极组件包括自下至上依次设置的衬底、窗口层、第一增透层、浮栅层、第二增透层...
【技术保护点】
一种浮栅式GaAs阴极真空三极管，由光电阴极组件(1)、第一可伐合金(2)、第二可伐合金(5)和陶瓷管(4)组成，所述光电阴极组件(1)与第一可伐合金(2)通过铟封材料(3)连接，第一可伐合金(2)通过陶瓷管(4)与第二可伐合金(5)相连，三极管内部为真空，第一可伐合金(2)作为光电阴极组件的管脚，第二可伐合金(5)作为三极管收集电子的阳极以及管脚，其特征在于，所述光电阴极组件(1)包括自下至上依次设置的衬底、窗口层、第一增透层、浮栅层、第二增透层和玻璃层。
【技术特征摘要】
1.一种浮栅式GaAs阴极真空三极管，由光电阴极组件(1)、第一可伐合金(2)、第二可伐合金(5)和陶瓷管(4)组成，所述光电阴极组件(1)与第一可伐合金(2)通过铟封材料(3)连接，第一可伐合金(2)通过陶瓷管(4)与第二可伐合金(5)相连，三极管内部为真空，第一可伐合金(2)作为光电阴极组件的管脚，第二可伐合金(5)作为三极管收集电子的阳极以及管脚，其特征在于，所述光电阴极组件(1)包括自下至上依次设置的衬底、窗口层、第一增透层、浮栅层、第二增透层和玻璃层；所述浮栅层沉...
【专利技术属性】
技术研发人员：富容国，杨柳，常本康，钱芸生，刘磊，张益军，张俊举，邱亚峰，陈洪锦，王贵圆，王焜，韦一方，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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