发光器件和发光器件封装制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件和发光器件封装。所述发光器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层；第一电极焊盘，在所述第一导电半导体层上；第二电极焊盘，在所述第二导电半导体层上；以及电流阻挡图案，与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘中至少一个的边缘重叠。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种发光器件和发光器件封装。所述发光器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层；第一电极焊盘，在所述第一导电半导体层上；第二电极焊盘，在所述第二导电半导体层上；以及电流阻挡图案，与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘中至少一个的边缘重叠。【专利说明】发光器件和发光器件封装相关申请的交叉引用本申请要求2015年I月29日提交的第10-2015-0014198号韩国专利申请的优先权，该专利申请通过引用的方式全部包括于此。
技术介绍
实施例涉及一种发光器件和发光器件封装。发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。p-n结二极管可以通过使元素周期表的II1-V族元素结合来形成。通过调节化合物半导体的组成比，发光器件可以表现各种颜色。基于GaN的发光器件(LED)已经被用于各种应用中，诸如自然色LED显示器、LED交通信号装置或白色LED。近年来，高效白色LED的发光效率优于常规荧光灯的发光效率，因此在普通照明领域中，预计白色LED将代替荧光灯。根据现有技术的发光器件，由于电流拥挤现象(其由于诸如静电的高电压而使电流集中于电极的边缘上)，电极可能损坏。特别地，根据现有技术的发光器件，由于电流拥挤现象，使用高驱动电压的紫外发光器件的电极的边缘可能被损坏。
技术实现思路
实施例提供一种发光器件和能够提高可靠性的发光器件封装。实施例提供一种稳定的发光器件和稳定的发光器件封装。根据实施例，提供一种发光器件，包括:发光结构，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层;第一电极焊盘，在所述第一导电半导体层上；第二电极焊盘，在所述第二导电半导体层上；以及电流阻挡图案，与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘中至少一个的边缘重叠。根据实施例的发光器件封装可以包括发光器件。根据一个实施例，可以防止发光器件由于拥挤在所述第一电极焊盘的边缘和第二电极焊盘的边缘附近的电流而被损坏，使得可以提高紫外发光器件的稳定性，该紫外发光器件发射具有紫外线波长的光并且具有高驱动电压。根据另一个实施例，所述第一电流阻挡图案和第二电流阻挡图案分别形成在所述第一导电半导体层和第二导电半导体层上，使得可以防止发光器件由于拥挤在所述第一电极焊盘的边缘和第二电极焊盘的边缘附近的电流而被损坏。因此，可以提高紫外发光器件的稳定性，该紫外发光器件发射具有紫外线波长的光并且具有高驱动电压。根据又一个实施例的发光器件，通过离子注入方法，第一电流阻挡图案可以形成在第一导电半导体层中并且第二电流阻挡图案可以形成在第二导电半导体层中，使得可以防止发光器件由于拥挤在所述第一电极焊盘的边缘和第二电极焊盘的边缘附近的电流而被损坏。因此，可以提高紫外发光器件的稳定性，该紫外发光器件发射具有紫外线波长的光并且具有高驱动电压。【附图说明】图1是示出根据一个实施例的发光器件的平面图。图2是沿图1中的1-1’线截取的剖视图。图3至图6是示出根据实施例的制造发光器件封装的方法的视图。图7是示出根据另一个实施例的发光器件的剖视图。图8是示出根据又一个实施例的发光器件的剖视图。图9是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的剖视图。【具体实施方式】下文中将参照附图描述根据实施例的发光器件和发光器件封装。在对实施例的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘或另一图案“上”或“下方”时，其可以“直接地”或“间接地”在其他衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上，或者也可以存在一个或多个介入层。参照附图描述了层的这种位置。图1是示出根据实施例的发光器件的平面图。图2是沿图1中的Ι-Γ线截取的剖视图。参照图1和图2，根据实施例的发光器件100包括衬底105、发光结构110、第一电极焊盘151和第二电极焊盘152、以及第一电流阻挡图案161和第二电流阻挡图案162。发光器件100可以发射具有UV-C波长(S卩，在10nm至280nm范围内的紫外线波长)的光。发光器件100不限定于上述情况，并且可以发射具有可见光波长和红外线波长中至少一种的光。衬底105可以包括透明的、绝缘的或导电的衬底，基于GaN的半导体层可以生长在衬底105上。例如，可以通过使用厶1203、31(:、51、6&厶8、6&12110、51、6&?、11^、66、6&203、1^6&03和石英中的一种来形成衬底105。多个突起可以形成在衬底105的顶表面上。可以通过蚀刻方法来形成突起，或者突起可以形成为光提取结构(诸如分离的粗糙结构)。突起可以形成为条形、半球形或圆顶形。虽然在附图中未示出，但缓冲层(未示出)还可以形成在衬底105上。缓冲层可以减弱衬底105与氮化物半导体层之间的晶格失配并且可以作为缺陷控制层。缓冲层可以具有在衬底11的晶格常数与基于氮化物的半导体层的晶格常数之间的晶格常数。缓冲层可以由氧化物诸如ZnO形成，但是实施例不限于此。发光结构110布置在衬底105上。发光结构110包括第一导电半导体层112、第二导电半导体层116和有源层114。第一导电半导体层112可以形成为单层或多层结构。当第一导电半导体层112是N-型半导体层时，第一导电半导体层112可以是掺杂有第一导电掺杂剂的II1-V族化合物半导体。第一导电掺杂剂可以包括S1、Ge、Sn、Se或Te作为N-型掺杂剂，但是实施例不限于此。第一导电半导体层112可以包括具有111414&11—#(0 <x< l,0<y < l,0<x+y< I)的组成式的半导体材料。第一导电半导体层AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP 和 InP 中的至少一种。有源层114可以形成为单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。有源层114可以包括由基于GeN的半导体层形成的阱层和势皇层。例如，有源层GaAs/AI GaAs、I nGaAs/AI GaAs、Ga I nP/Al Ga I nP、GaP/AI GaP和 I nGaP/AI GaP 中的至少一种，但是实施例不限于此。阱层可以由具有比势皇层的带隙低的带隙的材料形成。有源层114的势皇层和讲层可以被实施为未掺杂有杂质的无掺杂层，以便提高有源层114的结晶质量，但是杂质可以被部分地或者全部地掺杂进有源区域中以减小正向电压。第二导电半导体层116可以布置在有源层114上并且形成为单层或多层结构。当第二导电半导体层116是P-型半导体层时，第二导电半导体层116可以包括掺杂有第二导电掺杂剂的II1-V族化合物半导体。第二导电掺杂剂可以包括Mg、Zn、Ca、Sr或Ba作为P-型掺杂剂，但是实施例不限于此。例如，第二导电半导体层116可以由诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP 或 InP 的化合物半导体组成。第一电极焊盘151可以布置在第一导电半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层；第一电极焊盘，在所述第一导电半导体层上；第二电极焊盘，在所述第二导电半导体层上；以及电流阻挡图案，与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘中至少一个的边缘重叠。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：姜基晩，吴政勋，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR