一种用于外延生长的反应器的反应室，包括：‑具有凹部的壁(1)，‑衬托器(7)，其包括主体和凸起，其中所述主体相对于所述壁(1)以旋转方式放置在所述凹部中，‑圆盘状支撑元件(8)，其具有适合于稳定地放置在所述凸起上的形状，具有使得从所述凸起径向地突出的尺寸并且适合于支撑将经历外延生长的一个或更多个基底，和‑平坦覆盖物(91，92)，其位于所述壁(1)的上方并且具有在所述圆盘状支撑元件(8)处的孔(10)；其中所述孔(10)的形状对应于所述圆盘状支撑元件(8)的形状；其中所述覆盖物(92)具有用于装载/卸载所述圆盘状支撑元件(8)的装置(16)的通行的至少一个中空导引件(11，12)，其中所述中空导引件(11，12)从所述覆盖物(92)的边缘开始延伸至所述孔(10)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种用于外延生长的反应器的反应室，包括：?具有凹部的壁(1)，?衬托器(7)，其包括主体和凸起，其中所述主体相对于所述壁(1)以旋转方式放置在所述凹部中，?圆盘状支撑元件(8)，其具有适合于稳定地放置在所述凸起上的形状，具有使得从所述凸起径向地突出的尺寸并且适合于支撑将经历外延生长的一个或更多个基底，和?平坦覆盖物(91，92)，其位于所述壁(1)的上方并且具有在所述圆盘状支撑元件(8)处的孔(10)；其中所述孔(10)的形状对应于所述圆盘状支撑元件(8)的形状；其中所述覆盖物(92)具有用于装载/卸载所述圆盘状支撑元件(8)的装置(16)的通行的至少一个中空导引件(11，12)，其中所述中空导引件(11，12)从所述覆盖物(92)的边缘开始延伸至所述孔(10)。【专利说明】具有装载/卸载装置和反应器的用于外延生长的反应室专利
本专利技术涉及一种用于外延生长的反应器的反应室，该反应室适合与其装载/卸载装置和反应器一起使用。本专利技术涉及微电子学领域，更具体地涉及用于处理在生产微电子部件中使用的基底的设备的领域。现有技术反应室对用于具有良好特性的外延生长的反应器是重要的。反应室的重要方面是基底的装载和卸载。这样的方面还影响反应器的生产率;实际上，外延生长在非常高的温度下进行(例如，对于硅常用温度是1000-1200°C且对于碳化硅常用温度是1500-1700°C)，并且因此，如果装载和卸载在低温下进行(例如，50-200°C)，那么在卸载之后、在开始生长过程之前必须等待室变热，并且在卸载之前等待室冷却。此外，值得注意的是，基底必须特别细心地操作以防止损坏(特别地，以防止损坏生长层的;在高温下处理基底(例如，800-1200°C)甚至是更困难的。最后，值得注意的是，装载和卸载解决方案必须很好地与生长解决方案组合(两种解决方案在反应室构造中紧密联系)；实际上，获得基底上的良好生长甚至比很好地装载和卸载基底更重要。本专利技术的主要目的是提供与用于在基底上生长的良好解决方案组合的用于装载和卸载基底的良好解决方案。特别地，本专利技术集中于适合于碳化硅的外延生长的解决方案。概述这样的目的借助于具有在所附权利要求中示出的技术特征的反应室来实现，该所附权利要求形成了本描述的主要部分。附图列表本专利技术根据结合附图考虑的以下详细描述将变得更明显，在附图中:图1示出了根据本专利技术的反应室的实施方案的示例的简化剖面图；图2示出了图1中的反应室的第一简化的横截面图(沿着第一剖面截取)；图3示出了图1中的反应室的第二简化的横截面图(沿着第二剖面截取)；图4示出了图1中的反应室的第三简化的横截面图(沿着第三剖面截取)；图5示出了图1中的反应室的简化俯视图；图6示出了适合于图1中的反应室的装载/卸载装置的实施方案的示例的三幅不同的侧视图；以及图7示出了在三种不同的情况下与图6中的装置组合的图1中的室的简化的横截面图(沿着图2中使用的剖面截取)。这样的描述和这样的附图仅通过示例的方式提供并且因此是非限制性的。这些图全部适用于实施方案的相同示例。如无疑明显的是，其主要的有利的方面在所附权利要求中界定的本专利技术可以以各种实践方式来实现和应用。详细描述图中的反应室用于在基底上的外延生长，具体地用于在碳化硅上的外延生长。反应室具有长形的形状(因此有可能界定纵向方向，其在全部附图中对应于水平方向并且考虑到室的大体上圆柱对称性甚至对应于纵向轴线)并且包括四个平坦的壁，该四个平坦的壁为平行六面体形的反应区和沉积区定界;该平行六面体的横截面是具有相对大的基部和相对小的高度的矩形;具有平坦的下部壁1、平坦的上壁2、平坦的左侧壁3和平坦的右侧壁4。室包括其他两个弯曲壁5和6;弯曲壁5通过它的端部连接至平坦的壁I的端部(例如，参见图2);弯曲壁6通过它的端部连接至平坦的壁2的端部(例如，参见图2)。在图中，壁1、2、3、4、5、6被示出，犹如它们被整体式地制造，但是它们可以是并排地布置的且适当地连接的独立的部分。这样的一组壁是已知的，例如且特别地，在国际专利申请WO 2004/053187和WO 2004/053188中，参考该两个专利申请以获得另外的技术细节。图1中和图5中绘制的两个箭头代表反应气体的来流FI和废气的输出流FU;反应气体进入反应室和沉积室，由于该区域中的高温而化学地反应，产生固体材料的沉积，并且作为(或多或少排放的)废气从反应区和沉积区排出。值得注意的是，反应室的加热装置在任何图中均未示出；它们通常是电磁加热装置。此外，反应室包括衬托器(susceptor)7和支撑元件8，该支撑元件8适合于支撑一个或更多个基底以同时地经历外延生长(每一个基底分别定位在支撑元件的浅的“凹部”中)；支撑元件8稳定地放置在衬托器7上。特别地，衬托器7包括在下方的主体(通常是圆柱形的)和在上部的凸起(relief)(通常是圆柱形的或棱形的)。特别地，支撑元件8是圆盘状的并且通常是圆形的；支撑元件8稳定地放置在衬托器7的凸起上并且被设定尺寸以从衬托器7的凸起径向地突出。下部壁I具有衬托器7的主体放置在其中的凹部;通常，凹部和主体具有相同的形状;在图中的示例中，凹部和主体正好具有相同的圆柱形形状和具有几乎相同的尺寸(仅具有小的差异以允许主体在凹部中旋转)；衬托器7的主体放置在凹部中以相对于壁I是可旋转的；因此，当衬托器7旋转时，支撑元件8旋转。在图中，值得注意的是，在衬托器7的主体的下部面中具有中空部和中心盲孔;盲孔用于接纳壁I的导引衬托器7的旋转的销；中空部用于接纳用于引起衬托器的旋转的气体射流;这些气体射流来自气体流，该气体流源于反应室的外部并且在纵向的和中心的导管内部穿过下部壁I到达衬托器7，特别地到达壁I的衬托器7的主体放置在其中的凹部下方的区域。这样的系统，例如且特别地，根据国际专利申请WO 2005/121417是已知的，为获得另外的技术细节应参考该专利申请。 最后，反应室包括平坦覆盖物，该平坦覆盖物对应于由参考数字91和92指示的部件，特别地，该部件在图1、图3、图4和图5中是可见的。该两个部件91和92构成单一平坦覆盖物的两个概念上相邻的元件;这样的平坦覆盖物对于整个反应区和沉积区既纵向地又横向地延伸(特别地参见图5)，除孔10之外，如将在下面更详细地描述的；通常，平坦覆盖物可以由多个相邻元件组成；例如，部件91和部件92可以被分成两个，一个在第一侧上，例如在右部上(就室的纵向方向而言)，而一个在第二侧上，例如在室的左部上(就室的纵向方向而言)。在图的示例中，这样的覆盖元件基本上由两个平板组成:第一板91位于室的入口区中且第二板92位于室的出口或排放区中；为了清楚起见，应参考箭头FI和箭头FU。值得注意的是，用于将覆盖元件固定至室的、特别地将它们固定至室的开口的装置在任何图中均未示出。术语“平坦覆盖物”源自其用于覆盖在下部的壁的事实，该在下部的壁是下部壁I，并且该下部壁I用于将平坦表面(在最大的可能程度上)制造成反应区和沉积区的下限一反应区和沉积区的横截面对于区域自身的整个长度而言应当是尽可能恒定的以获得基底上的良好生长，并且更确切地说，该部分是通常矩形的或至少下部侧是直的。平坦覆盖物，两个元件91和92的整体，具有在支撑元件8处的孔10(参见本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于外延生长的反应器的反应室，包括：‑壁(1)，其具有凹部，‑衬托器(7)，其包括主体和凸起，其中所述主体相对于所述壁(1)以旋转方式放置在所述凹部中，‑圆盘状支撑元件(8)，其适合于稳定地放置在所述凸起上，所述支撑元件(8)具有带有使得从所述凸起径向地突出的尺寸的形状，并且适合于支撑将经历外延生长的一个或更多个基底，和‑平坦覆盖物(91，92)，其位于所述壁(1)的上方并且具有在所述圆盘状支撑元件(8)处的孔(10)；其中所述孔(10)的形状对应于所述圆盘状支撑元件(8)的形状；其中所述覆盖物(92)具有用于装载/卸载所述圆盘状支撑元件(8)的装置(16)的通行的至少一个中空导引件(11，12)，其中所述中空导引件(11，12)从所述覆盖物(92)的边缘开始延伸至所述孔(10)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗西斯科·科里亚，D·克里帕，劳拉·戈博，M·毛切里，温森佐·奥格里阿里，弗兰科·佩雷蒂，马尔科·普利西，卡尔梅洛·韦基奥，
申请(专利权)人：LPE公司，
类型：发明
国别省市：意大利;IT
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