表面处理铜箔、附载体铜箔、印刷配线板、覆铜积层板、积层体及印刷配线板的制造方法技术

提供一种微细配线形成性优异的表面处理铜箔。表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，当从与形成有表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.5以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提供一种微细配线形成性优异的表面处理铜箔。表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，当从与形成有表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.5以上。【专利说明】表面处理铜箔、附载体铜箔、印刷配线板、覆铜积层板、积层体 及印刷配线板的制造方法
本专利技术涉及一种表面处理铜箱、附载体铜箱、印刷配线板、覆铜积层板、积层体及 印刷配线板的制造方法。
技术介绍
半导体封装基板及印刷配线基板的电路形成法，是以减成法为主流。然而，近年 来，随着半导体的高积集化，使用在半导体的半导体封装基板、印刷配线基板的电路微细化 亦不断发展，以减成法形成微细电路越趋困难。 作为因应进一步的微细配线化，已知有MSAP (改进半加成法）（例如，专利文献1)。 专利文献1:日本专利第4683769号公报。
技术实现思路
MSAP法如上述适用于形成微细配线。具体而言，如图1A所示，在树脂层(绝缘材)上 形成极薄铜箱作为供电层，接着于极薄铜箱上实施图案铜镀敷。接着，如图1B所示，通过快 速蚀刻将极薄铜箱去除，由此形成想要的配线。另，在图1中，将配线宽度表示成L，配线间隔 表不成S。 然而，通常在极薄铜箱为了确保与树脂层的密合性，而在树脂层侧表面形成有粗 化处理层等的表面处理层。当为了形成配线而对此表面处理铜箱即极薄铜箱进行快速蚀刻 时，若花费时间去除表面处理层，则极薄铜箱的铜箱部分(配线部）的宽度亦会相应地因蚀 刻而被过度去除，而发生变成较所欲宽度细的配线的问题。 因此，本专利技术的目的在于提供一种微细配线形成性优异的表面处理铜箱、附载体 铜箱、印刷配线板，覆铜积层板、积层体及印刷配线板的制造方法。 为了达成上述目的，本专利技术人等经反复潜心研究后，发现:通过控制成使表面处理 铜箱的表面处理层的蚀刻速率相对于该表面处理铜箱的铜箱的蚀刻速率在既定的值以上， 可提供微细配线形成性优异的表面处理铜箱。 本专利技术是以上述见解为基础而完成的，在一方面中，是一种表面处理铜箱，在铜箱 上形成有表面处理层，当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫 酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使该铜箱的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，该 表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在〇. 5以上。 本专利技术的表面处理铜箱在一实施方案中，在使该铜箱的厚度方向的蚀刻速率为1 的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在〇. 75以上。 本专利技术的表面处理铜箱在另一实施方案中，在使该铜箱的厚度方向的蚀刻速率为 1的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在1.0以上。 本专利技术在另一方面中，是一种表面处理铜箱，在铜箱上形成有表面处理层，当从与 形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾 蚀刻时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻处理时间相对于该铜箱的厚度lwil的蚀刻处理时 间之比在0.7以下。本专利技术的表面处理铜箱在另一实施方案中，该表面处理层的厚度方向的蚀刻处理 时间相对于该铜箱的厚度1M1的蚀刻处理时间之比在0.4以下。本专利技术的表面处理铜箱在另一实施方案中，该表面处理层的厚度方向的蚀刻处理 时间相对于该铜箱的厚度lMi的蚀刻处理时间之比在0.2以下。 本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻 液具有18g/L的H2〇 2、92g/L的H2S〇4及8g/L的Cu的液体组成。 本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该铜箱是由电解铜箱或压延铜箱形 成。 本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该表面处理层具有粗化处理层。 本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该表面处理层具有粗化处理层与设 置于该粗化处理层表面的选自由耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群 中的1种以上的层。 本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该表面处理层具有该防锈层及该耐 热层中至少一者，该防锈层及该耐热层中至少一者含有选自镍、钴、铜、锌中的1种以上的元 素。 本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该表面处理层具有该粗化处理层及 该耐热层，在该粗化处理层上具有该耐热层。 本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该表面处理层具有该粗化处理层或 该耐热层，与该防锈层，在该粗化处理层或该耐热层上具有该防锈层。 本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该表面处理层具有该防锈层与该铬 酸处理层，在该防锈层上具有该铬酸处理层。 本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该表面处理层具有该铬酸处理层与 该硅烷偶合处理层，在该铬酸处理层上具有该硅烷偶合处理层。本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该表面处理层为选自由耐热层、防 锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层组成的群中的1种以上的层。本专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，在该表面处理层上具备树脂层。本 专利技术的表面处理铜箱在再另一实施方案中，该树脂层含有介电体。 本专利技术在另一方面中，是一种附载体铜箱，在载体的一面或两面依序积层有中间 层、极薄铜层所构成，该极薄铜层为本专利技术的表面处理铜箱。 本专利技术的附载体铜箱在一实施方案中，在该载体的一面依序具有该中间层、该极 薄铜层，而在该载体的另一面具有粗化处理层。 本专利技术在再另一方面中，是一种使用本专利技术的表面处理铜箱制造的印刷配线板。 本专利技术在再另一方面中，是一种使用本专利技术的附载体铜箱制造的印刷配线板。 本专利技术在再另一方面中，是一种使用本专利技术的表面处理铜箱制造的覆铜积层板。 本专利技术在再另一方面中，是一种使用本专利技术的附载体铜箱制造的覆铜积层板。 本专利技术在再另一方面中，是一种积层体，含有本专利技术的附载体铜箱与树脂，该附载 体铜箱的端面的一部份或全部被该树脂覆盖。本专利技术在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：准备本专利技术的表面处理铜箱与绝缘基板的步骤；将该表面处理铜箱自表面处理层侧积层在绝缘基板，形成覆铜积层板，然后通过 减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路的步骤。 本专利技术在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤： 准备本专利技术的附载体铜箱与绝缘基板的步骤； 将该附载体铜箱自极薄铜层侧积层在绝缘基板的步骤； 将该附载体铜箱与绝缘基板积层后，经过将该附载体铜箱的载体剥除的步骤而形 成覆铜积层板，然后通过部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路的步骤。 本专利技术在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤： 将电路形成在本专利技术的附载体铜箱的该极薄铜层侧表面或该载体侧表面的步骤； 以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该附载体铜箱的该极薄铜层侧表面或该载 体侧表面的步骤； 将电路形成在该树脂层上的步骤； 将电路形成在该树脂层上后，将该载体或该极薄铜层剥离的步骤;及 将该载体或该极薄铜层剥离后，去除该极薄铜层或该载体，由此使形成在该极薄 铜层侧表面或该载体侧表面被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。 本专利技术在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤： 积层本专利技术的附载体铜箱的该极薄铜层侧表面或该载体侧表面与树脂基板的步 骤； 在该附载体铜箱的与树脂基板积层的侧的相反侧的极薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，当从与形成有该表面处理层的表面为相反侧的表面以过氧化氢/硫酸系的铜溶解蚀刻液进行喷雾蚀刻时，在使该铜箔的厚度方向的蚀刻速率为1的情形时，该表面处理层的厚度方向的蚀刻速率在0.5以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本宣明，佐佐木伸一，石井雅史，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP