本发明专利技术的实施例提供一种有机晶体管及其制备方法、OLED显示器件，涉及显示技术领域，可弥补有机半导体材料迁移率低的问题。该有机晶体管包括：层叠设置在衬底上的集电极和发射极、设置在所述集电极与所述发射极之间的第一有机半导体层、第二有机半导体层以及位于所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层之间的基极；其中，所述基极分别与所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层形成肖特基接触。用于OLED显示器件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种有机晶体管及其制备方法、OLED显示器件。
技术介绍
有机电致发光二极管(Organic Light Emitting D1de，简称0LED)显示器件具有色彩逼真、超薄、节能、视角宽等特点，被称为下一代显示技术。对于有源矩阵型有机发光二极管(Active-matrixOrganic Light EmittingD1de，简称AM0LED)显示器件，需要驱动晶体管驱动OLED进行主动发光。目前，晶体管的种类繁多，其主要是依据选择不同的有源层材料而进行的分类。例如有源层材料可以为非晶硅、金属氧化物、有机材料等。其中，对于有机材料来说，由于其载流子迀移率较低，因此在现有技术的应用受到较多限制。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种有机晶体管及其制备方法、OLED显示器件，可弥补有机半导体材料迀移率低的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:第一方面，提供一种有机晶体管，包括:层叠设置在衬底上的集电极和发射极、设置在所述集电极与所述发射极之间的第一有机半导体层、第二有机半导体层以及位于所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层之间的基极;其中，所述基极分别与所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层形成肖特基接触。优选的，所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层均包括P型有机半导体。优选的，所述基极的厚度为20-30nmo优选的，所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层的厚度总和为170-230nm。第二方面，提供一种OLED显示器件，包括驱动晶体管以及发光层，所述驱动晶体管为上述第一方面的有机晶体管。优选的，所述OLED显示器件还包括空穴注入层和空穴传输层;所述有机晶体管中的集电极靠近衬底设置，第一有机半导体层、基极以及第二有机半导体层依次设置在所述集电极的上方，所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述发光层设置在所述第二有机半导体层和发射极之间；其中，所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层均包括P型有机半导体。进一步优选的，所述OLED显示器件还包括电子传输层，所述电子传输层设置在所述发射极与所述发光层之间。第三方面，提供一种有机晶体管的制备方法，包括:通过蒸镀工艺在衬底上形成层叠的集电极和发射极、以及位于所述集电极与所述发射极之间的第一有机半导体层、第二有机半导体层和基极;所述基极位于所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层之间；其中，所述基极分别与所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层形成肖特基接触。优选的，所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层均包括P型有机半导体。优选的，所述基极的厚度为20-30nmo优选的，所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层的厚度总和为170-230nm。本专利技术实施例提供一种有机晶体管及其制备方法、OLED显示器件，通过将集电极、发射极、第一有机半导体层、第二有机半导体层以及基极层叠设置，可以利用基极与位于其两侧的第一有机半导体层和第二有机半导体层形成两个背对背的肖特基接触，以形成内建电场来实现晶体管的电流放大，因而可产生较高的电流。其中，由于层叠设置的结构，载流子从集电极运动到发射极的路程较短，可有效提高开关速度，因此可弥补有机半导体材料迀移率低的问题。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种有机晶体管的结构示意图一；图2为本专利技术实施例提供的一种有机晶体管的结构示意图二；图3为本专利技术实施例提供的施加在肖特基接触的两端的电压与电流关系示意图；图4为本专利技术实施例提供的施加在基极上的电压与集电极和发射极之间的电流的关系不意图；图5为本专利技术实施例提供的集电极和发射极之间的电压与电流的关系示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种OLED显示器件的结构示意图一；图7为本专利技术实施例提供的一种OLED显示器件的结构示意图二；图8为本专利技术实施例提供的一种OLED显示器件的结构示意图三；图9为本专利技术实施例提供的一种OLED显示器件的结构示意图四。附图标记:10-衬底；11-集电极；12-发射极；13-第一有机半导体层；14-第二有机半导体层；15-基极；16-空穴注入层；17-空穴传输层；18-发光层；19-电子传输层;20-电子注入层;21-空穴阻挡层。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种有机晶体管，如图1和图2所示，包括:层叠设置在衬底10上的集电极11和发射极12、设置在集电极11与发射极12之间的第一有机半导体层13、第二有机半导体层14以及位于第一有机半导体层13和第二有机半导体层14之间的基极15。其中，基极15分别与第一有机半导体层13和第二有机半导体层14形成肖特基接触。需要说明的是，第一，集电极11和发射极12可以如图1所示，集电极11靠近衬底10设置，发射极12远离衬底10设置;或者，如图2所示，集电极11远离衬底10设置，发射极12靠近衬底1设置。第二，第一有机半导体层13和第二有机半导体层14可以同为P型半导体层或同为N型半导体层。第一有机半导体层13和第二有机半导体层14共同作为有机晶体管的有源层。第三，集电极11、发射极12以及基极15的材料可选自如金(Au)、铝(Al)、铜(Au)、银(Ag)或氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等导电材料，也可选自导电聚合物材料(如PED0T:PSS)，亦可选自例如银纳米丝或碳纳米管(CNT)的纳米结构。其中，对于基极15的材料，需根据第一有机半导体层13和第二有机半导体层14材料的不同，选择合适的导电材料，以能使基极15分别与第一有机半导体层13和第二有机半导体层14形成肖特基接触为准。当第一有机半导体层13和第二有机半导体层14采用P型半导体制成时，基极15的材料需采用低功函数的材料，例如Ag、Al等。当第一有机半导体层13和第二有机半导体层14采用N型半导体制成时，基极15的材料需采用高功函数的材料，例如Au、Cu等。本专利技术实施例提供了一种有机晶体管，通过将集电极11、发射极12、第一有机半导体层13、第二有机半导体层14以及基极15层叠设置，可以利用基极15与位于其两侧的第一有机半导体层13和第二有机半导体层14形成两个背对背的肖特基接触，以形成内建电场来实现晶体管的电流放大，因而可产生较高的电流。其中，由于层叠设置的结构，载流子从集电极11运动到发射极12的路程较短，可有效提高开关速度，因此可弥补有机半导体材料迀移率低的问题。优选的，第一有机半导体层13和第二有机半导体层14均包括P型有机半导体。其中，P型有机半导体可以为酞菁铅(PbPc)，酞菁铜(CuPb)等。由于P型有机半导体中多空穴，而OLED中的空穴从阳极一侧注本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机晶体管，其特征在于，包括：层叠设置在衬底上的集电极和发射极、设置在所述集电极与所述发射极之间的第一有机半导体层、第二有机半导体层以及位于所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层之间的基极；其中，所述基极分别与所述第一有机半导体层和所述第二有机半导体层形成肖特基接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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