本实用新型专利技术涉及电镀废水水处理技术领域，尤其涉及一种用于工业电镀废水破络后残余硫离子监测系统。本实用新型专利技术包括通过管道连接的第一pH调节池、混合破络池、混凝沉淀池、第二pH调节池，混合破络池内设置有自动控制装置，自动控制装置包括依次连接的硫化钠药剂槽、加药泵、第一电动阀、第一自动控制器、第一银硫离子电极，第一银硫离子电极插入混合破络池里。本实用新型专利技术检测速度快，易于运行维护，响应时间短；抗干扰能力强，不受其它具有氧化还原性物质干扰，选择性较强；能够实现在保证铜被完全去除的基础上，对破络后出水的残余硫离子进行实时监测，以减少药用成本以及保证后续生物单元正常运行。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及电镀废水水处理
，尤其涉及一种用于工业电镀废水破络后残余硫离子监测系统。本技术包括通过管道连接的第一pH调节池、混合破络池、混凝沉淀池、第二pH调节池，混合破络池内设置有自动控制装置，自动控制装置包括依次连接的硫化钠药剂槽、加药泵、第一电动阀、第一自动控制器、第一银硫离子电极，第一银硫离子电极插入混合破络池里。本技术检测速度快，易于运行维护，响应时间短；抗干扰能力强，不受其它具有氧化还原性物质干扰，选择性较强；能够实现在保证铜被完全去除的基础上，对破络后出水的残余硫离子进行实时监测，以减少药用成本以及保证后续生物单元正常运行。【专利说明】一种用于工业电镀废水破络后残余硫离子监测系统
本技术涉及电镀废水水处理
，具体涉及一种利用银硫离子电极监测硫化钠法破络后出水电位，实现印刷电路板废水中重金属铜的去除及废水中残余硫离子监测系统及用于工业电镀废水破络后残余硫离子监测系统。
技术介绍
近年来电子加工制造业的飞速发展，产生了大量的电镀厂及印刷电路板厂。在印刷电路板生产制造过程中，蚀板等工序中会产生铜离子和各种络合形态铜等，并且在化学清洗、显影等工序会含有高分子有机物。单纯采用物理化学法处理电镀废水处理成本高，并且出水后水质很难达到《污水综合排放标准》(GB8978-1996)规定标准，不能达标排放。由于工业废水中含有大量重金属，其对微生物具有毒害作用，所以单独采用生物法不能应用于处理印刷电路板废水。为使废水能够达标排放，并且降低其运行成本，通常采用物理化学-生物法联用来处理这类废水。由于印刷电路板废水中含有大量络合形态重金属铜，所以生物处理前应通过合适方法破络以保证铜的去除。硫化钠法破络是一种应用成熟的化学破络方法，利用监测水中氧化还原电位(ORP)来间接反应水质变化情况在在线监测领域应用较多。但在实际过程中利用ORP控制反应情况有以下几个缺点:1、0RP在测量过程当中其稳定之间较长，数值波动大，其结果可能会导致破络出水离子波动较大，含有铜或者较高含量的残余硫会进入生物单元，对生物单元会造成冲击。2、0RP并不能反映水体中过量硫化钠的情况，使得水体中硫不能得到很好的控制，造成出水硫离子含量过高。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷或不足，本技术所要解决的技术问题是:提供一种用于工业电镀废水破络后残余硫离子监测系统。为了实现上述目的，本技术采取的技术方案为提供一种用于工业电镀废水破络后残余硫离子监测系统，包括第一 PH调节池、混合破络池、混凝沉淀池、第二 pH调节池，其中，第一pH调节池出水口通过管道连接所述混合破络池进水口，所述混合破络池出水口通过管道连接所述混凝沉淀池进水口，所述混凝沉淀池出水口通过管道连接所述第二PH调节池进水口，所述混合破络池内设置有自动控制装置，所述自动控制装置包括硫化钠药剂槽、加药栗、第一银硫离子电极、第一自动控制器、第一电动阀，所述第一银硫离子电极插入所述混合破络池里，所述第一银硫离子电极连接第一自动控制器，所述第一自动控制器连接所述加药栗，所述加药栗连接所述硫化钠药剂槽。作为本技术的进一步改进，所述自动控制装置还包括依次连接的第二电动阀、第二自动控制器、第二银硫离子电极，所述第二电动阀与所述加药栗连接。本技术的有益效果是:1、检测速度快，易于运行维护，响应时间短。2、抗干扰能力强，不受其它具有氧化还原性物质干扰，选择性较强。3、能够实现在保证铜被完全去除的基础上，对破络后出水的残余硫离子进行实时监测，以减少药用成本以及保证后续生物单元正常运行。【附图说明】图1是本技术的结构不意图；图2是本技术破络过程自动控制装置图；其中数字表示:1、第一pH调节池；2、混合破络池；3、混凝沉淀池;4、第一银硫离子电极;5、第一自动控制器;6、第一电动阀；7、加药栗;8、硫化钠药剂槽;9、第二银硫离子电极;1、第二自动控制器;11、第二电动阀；12、第二pH调节池。【具体实施方式】下面结合【附图说明】及【具体实施方式】对本技术进一步说明。本技术提出利用银硫离子电极能够检测水体中硫离子含量，通过监测水体中残余硫离子，同时实现重金属铜的去除及剩余硫情况，而水中硫离子通过银硫离子电极电位来反应。如图1、图2所示，本技术提供一种用于工业电镀废水破络后残余硫离子监测系统，包括第一 PH调节池1、混合破络池2、混凝沉淀池3、第二 pH调节池12，其中，第一 pH调节池I出水口通过管道连接所述混合破络池2进水口，所述混合破络池2出水口通过管道连接所述混凝沉淀池3进水口，所述混凝沉淀池3出水口通过管道连接所述第二pH调节池12进水口，所述混合破络池2内设置有自动控制装置，所述自动控制装置包括硫化钠药剂槽8、加药栗7、第一银硫离子电极4、第一自动控制器5、第一电动阀6，所述第一银硫离子电极4插入所述混合破络池2里，所述第一银硫离子电极4连接第一自动控制器5，所述第一自动控制器5连接所述加药栗7，所述加药栗7连接所述硫化钠药剂槽8。所述自动控制装置还包括依次连接的第二电动阀11、第二自动控制器10、第二银硫离子电极9，所述第二电动阀6与所述加药栗7连接。整个物化预处理流程如图1所示，在实际应用过程中应在破络池前设置调节池，使得破络前进水PH值保持一致，以保证后续检测过程中减少误差，通常在调节池I处将废水pH值调节至9，在破络池出水口利用银硫离子电极在线监测出水电极电位值，通过自控系统调节硫化钠加药量，控制电位值相应下限值，来实现铜的去除以及出水硫离子含量的实时控制。图2是破络过程自动控制装置图，废水由调节池I将pH调节至9，由两个银硫离子电极反馈电极电位值值来控制电动阀，从而调节加药量。实际应用中重金属含量往往波动范围较大，以某印刷电路板废水为例，废水中总铜在25mg/L?150mg/L范围内波动，理论Cu与S2-摩尔比为I，实际取值约为1.5，与之对应Na2S投加范围为45.6-273.6mg/L，不同印刷电路板厂之间由于处理工艺不同，预处理后汇集综合废水水质差异较大，重金属铜波动范围有所不同，可根据实际范围来确定控制电位值以及相应的用药范围。实际运行过程中银硫离子电极受温度，PH，监测环境影响，其绝对电位值会有偏差，在使用前应做校准，以控制合适的电极电位值。其次不同印刷电路板厂综合废水出水中总铜的波动范围有所不同，理论上，其波动范围越小控制越精确，出水中残余硫离子能够控制在更加低的范围内。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。【主权项】1.一种用于工业电镀废水破络后残余硫离子监测系统，其特征在于:包括第一 pH调节池、混合破络池、混凝沉淀池、第二 pH调节池，其中，第一 pH调节池出水口通过管道连接所述混合破络池进水口，所述混合破络池出水口通过管道连接所述混凝沉淀池进水口，所述混凝沉淀池出水口通过管道连接所述第二pH调节池进水口，所述混合破络池内设置有自动控制装置，所述自动控制装置包括硫化本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于工业电镀废水破络后残余硫离子监测系统，其特征在于：包括第一pH调节池、混合破络池、混凝沉淀池、第二pH调节池，其中，第一pH调节池出水口通过管道连接所述混合破络池进水口，所述混合破络池出水口通过管道连接所述混凝沉淀池进水口，所述混凝沉淀池出水口通过管道连接所述第二pH调节池进水口，所述混合破络池内设置有自动控制装置，所述自动控制装置包括硫化钠药剂槽、加药泵、第一银硫离子电极、第一自动用于原位底泥修复药剂投加的装置控制器、第一电动阀，所述第一银硫离子电极插入所述混合破络池里，所述第一银硫离子电极连接第一自动控制器，所述第一自动控制器连接所述加药泵，所述加药泵连接所述硫化钠药剂槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘彤宙，王宏杰，邵宇航，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳研究生院，
类型：新型
国别省市：广东;44
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