一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法，属于电机电气绝缘
技术介绍
随着电力电子技术及新型半导体器件的迅速发展，八十年代以后，越来越多的交流变频调速电动机得到了广泛应用。变频电机多采用脉宽调制驱动脉冲调速技术，它极大地增加了电机定子绕组电压的幅值，但却导致绝缘中产生局部放电，使得许多变频电机的寿命只有1-2年，甚至有些电机在试运行中就发生击穿破坏，且击穿常发生在匝间。为了延长变频电机的寿命，可以采用改善输出特性和电缆参数抑制端子上的过电压，该方法还需要额外复杂的控制系统来控制该两个参数；为了延长变频电机的寿命，还可以采用在导线外面加一层耐电晕的绝缘材料，而现有技术中的耐电晕的绝缘材料一般采用将无机纳米填充物直接填充至聚合物基体中，以提高绝缘材料的介质击穿强度、耐局部放电、树脂放电、热导率等性能，由于一般情况下，无机纳米填充物的耐电晕性能强于聚合物基体，无机纳米填充物添加的越多会使得聚合物基体的耐电晕性能提高，但是无机纳米填充物与聚合物基体之间存在界面层且无机纳米填充物极易聚集、分散性差，会使得该添加了无机纳米填充物后的聚合物基体的机械力学性能变差。因此高性能的耐电晕薄膜的设计需要平衡上述指标。
技术实现思路
本专利技术的技术解决问题是：克服现有技术的不足，提出一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法。本专利技术的技术解决方案是：一种单面耐电晕的...
【技术保护点】
一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜，其特征在于：该薄膜包括上下两层，上层为复合材料层，下层为聚酰亚胺基膜层，所述的复合材料层包括聚酰亚胺基体和表面改性后的纳米三氧化二铝。
【技术特征摘要】
1.一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜，其特征在于：该薄膜包括上下两
层，上层为复合材料层，下层为聚酰亚胺基膜层，所述的复合材料层包括聚酰
亚胺基体和表面改性后的纳米三氧化二铝。
2.根据权利要求1所述的一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜，其特征
在于：所述的纳米三氧化二铝的表面改性方法为：
(1)将纳米三氧化二铝粒子进行真空干燥，然后加入到溶剂中，分散，得
到悬浮液；
(2)将含酰亚胺结构的硅烷偶联剂加入到步骤(1)得到的悬浮液中，超
声分散，然后再加入铝酸酯偶联剂，惰性气体保护，加热回流进行化学偶联反
应；
(3)反应完成后，抽滤，对滤饼进行清洗、干燥，得到改性后的纳米三氧
化二铝。
3.根据权利要求2所述的一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜，其特征
在于：所述的步骤(1)中真空干燥温度为100-150℃，干燥时间为24-48h；
溶剂为正丁醇，分散时采用超声振荡仪分散20-50min。
4.根据权利要求2所述的一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜，其特征
在于：所述的步骤(2)中超声分散温度为室温，时间为2-6h，惰性气体为氮
气或氩气，加热回流时间为1-3h，所述的铝酸酯偶联剂的牌号为F-1。
5.根据权利要求2所述的一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜，其特征
在于：所述的步骤(1)中的纳米三氧化二铝粒子与所述的步骤(2)中的含酰
亚胺结构的硅烷偶联剂、铝酸酯偶联剂F-1的质量比为：100：(1-5)：(1-10)。
6.根据权利要求2所述的一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜，其特征
在于：所述的步骤(3)中对滤饼进行清洗时采用无水乙醇进行清洗抽提12-36h，
干燥温度为100-120℃，干燥时间为24-48h。
7.根据权利要求2所述的一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜，其特征
\t在于：所述的步骤(2)中的含酰亚胺结构的硅烷偶联剂的结构式如式(1)为：
8.根据权利要求7所述的一种单面耐电晕的聚酰亚胺复合薄膜，其特征
在于：所述的含酰亚胺结构的硅烷偶联剂的制备方法为：
将二酸酐溶解在溶剂N,N-二甲基乙酰胺中，滴加氨基硅烷偶联剂，室温搅
拌12-24h，然后加入脱水剂苯二甲酸酐和催化剂异喹啉进行化学亚胺化反应，
反应温度为60-80℃，反应时间为12-24h；
所述的二酸酐与氨基硅烷偶联剂的摩尔比为1：2；
所述的二酸酐与脱水剂苯二甲酸酐的摩尔比为1：(1-2)；
所述的二酸酐与催化剂异喹啉的摩尔比为1：(1-2)。
所述的二酸酐为3,3',4,4'-...
【专利技术属性】
技术研发人员：高鸿，邢焰，张静静，陆平，刘泊天，王向轲，李岩，
申请(专利权)人：中国空间技术研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11
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